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개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전하는 충전부;상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑(bootstrapping)하는 부트스트랩부;상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 충전 유지부; 및제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드를 제1 게이트 로우 전압(VGL1) 레벨로 방전하고, 상기 출력 신호를 제2 게이트 로우 전압(VGL2) 레벨로 방전하는 방전부를 포함하는 직류 타입 쉬프트 레지스터
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제1항에 있어서,옥사이드 실리콘(oxide silicon)을 포함하는 제1 내지 제9 스위칭 TFT(thin film transistor), 제3 보조 스위칭 TFT 및 제4 보조 스위칭 TFT와 부트스트랩 캐패시터를 이용하여 상기 게이트 하이 전압, 상기 제1 게이트 로우 전압 및 상기 제2 게이트 로우 전압을 선택적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 직류 타입 쉬프트 레지스터
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제2항에 있어서,상기 충전부는상기 제1 스위칭 TFT가 턴온(turn on)되어 상기 개시 신호 또는 상기 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 상기 제1 클럭 신호를 상기 제1 노드에 공급하고,상기 제3 스위칭 TFT와 직렬로 연결되는 상기 제3 보조 스위칭 TFT가 턴오프(turn off)되어 상기 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하며,상기 충전된 제1 노드에 의해 상기 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 존재하는 상기 부트스트랩 캐패시터를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하고,상기 충전된 제1 노드에 의해 상기 제4 보조 스위칭 TFT, 제4 스위칭 TFT 및 상기 제5 스위칭 TFT가 턴온되어 제3 노드를 상기 제1 게이트 로우 전압 레벨로 방전하며,상기 방전된 제3 노드에 의해 상기 제7 스위칭 TFT 및 상기 제9 스위칭 TFT가 턴오프되고,상기 충전된 제1 노드에 의해 상기 제8 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 출력 신호를 충전하되,상기 출력 신호는 상기 게이트 하이 전압 레벨과 상기 제8 스위칭 TFT의 문턱 전압 간의 차이로 충전되는직류 타입 쉬프트 레지스터
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4 |
4
제2항에 있어서,상기 부트스트랩부는상기 제1 스위칭 TFT와 상기 제3 보조 스위칭 TFT가 턴오프되어 상기 충전된 제1 노드를 플로팅(floating)하고,상기 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제2 클럭 신호를 제2 노드에 공급하며,상기 부트스트랩 캐패시터에 의해 상기 플로팅된 제 1노드를 부트스트랩핑하여 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 충전하고,상기 부트스트랩핑된 제1 노드에 의해 상기 제8 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는직류 타입 쉬프트 레지스터
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5 |
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제2항에 있어서,상기 방전부는상기 제2 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 클럭 반전 신호 및 상기 제2 클럭 반전 신호를 상기 제3 스위칭 TFT 및 상기 제3 보조 스위칭 TFT에게 공급하고,상기 제3 스위칭 TFT 및 상기 제3 보조 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 노드를 상기 제1 게이트 로우 전압 레벨로 방전하며,상기 제1 게이트 로우 전압 레벨로 방전된 제1 노드에 의해 상기 제4 보조 스위칭 TFT, 상기 제5 스위칭 TFT, 상기 제6 스위칭 TFT 및 상기 제8 스위칭 TFT가 턴오프되고,상기 제4 보조 스위칭 TFT 및 상기 제5 스위칭 TFT가 턴오프되어 제4 노드를 플로팅하며,상기 플로팅된 제4 노드를 부트스트랩핑하여 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 충전하고,상기 부트스트랩핑된 제4 노드에 의해 상기 제4 스위칭 TFT가 턴온되어 제3 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하며,상기 충전된 제3 노드에 의해 상기 제7 스위칭 TFT 및 상기 제9 스위칭 TFT가 턴온되어 제2 노드를 상기 제1 게이트 로우 전압 레벨로 방전하고 상기 출력 신호를 상기 제2 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는직류 타입 쉬프트 레지스터
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N개의 쉬프트 레지스터에서 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 직류 타입 구동 장치에 있어서,n번째 쉬프트 레지스터(상기 n은 2이상 상기 N이하의 자연수)는,개시 신호 또는 n-1번째 쉬프트 레지스터의 n-1번째 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는 충전부;상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 부트스트랩부;상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 n번째 구동 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 충전 유지부; 및제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드를 제1 게이트 로우 전압 레벨로 방전하고, 및 상기 n번째 구동 신호를 제2 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 방전부를 포함하는 직류 타입 구동 장치
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7
복수 개의 쉬프트 레지스터에서 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 직류 타입 구동 장치에 있어서,상기 복수 개의 쉬프트 레지스터;옥사이드 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 상기 각 쉬프트 레지스터에게 상기 직류 타입의 전원을 공급하는 전원 공급부; 및상기 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 충전 유지 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생하는 클럭 발생부를 포함하고,상기 클럭 발생부는상기 각 쉬프트 레지스터에서 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하기 위한 제1 클럭 신호를 발생하는 제1 클럭 발생부;상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하기 위한 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호를 발생하는 제2 클럭 발생부;상기 제1 클럭 신호의 반전된 신호인 제1 클럭 반전 신호를 발생하는 제1 반전 클럭 발생부; 및상기 제2 클럭 신호의 반전된 신호인 제2 클럭 반전 신호를 발생하는 제2 반전 클럭 발생부를 포함하는 직류 타입 구동 장치
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8
제7항에 있어서,상기 직류 타입의 전원 및 상기 발생된 클럭 신호가 상기 복수 개의 쉬프트 레지스터에게 제공되도록 제어하는 제어부를 더 포함하는 직류 타입 구동 장치
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9
삭제
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제8항에 있어서,상기 제어부는상기 선정된 지연에 의해 상기 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 상기 구동 신호의 일부분이 오버랩핑되도록 제어하되, 상기 각 쉬프트 레지스터에서 상기 제1 클럭 반전 신호 및 상기 제2 클럭 반전 신호에 기초하여 상기 부트스트랩핑된 제1 노드를 제1 게이트 로우 전압 레벨로 방전되고, 상기 구동 신호를 제2 게이트 로우 전압 레벨로 방전되도록 제어하는직류 타입 구동 장치
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개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전하는 단계;상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑(bootstrapping)하는 단계;상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 단계; 및제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드를 제1 게이트 로우 전압(VGL1) 레벨로 방전하고, 상기 출력 신호를 제2 게이트 로우 전압(VGL2) 레벨로 방전하는 단계를 포함하는 직류 타입 쉬프트 레지스터의 동작 방법
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N개의 쉬프트 레지스터에서 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 직류 타입 구동 장치의 동작 방법에 있어서,n번째 쉬프트 레지스터(상기 n은 2이상 상기 N이하의 자연수)의 동작 방법은,개시 신호 또는 n-1번째 쉬프트 레지스터의 n-1번째 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는 단계;상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 단계;상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 n번째 구동 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 단계; 및제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드를 제1 게이트 로우 전압 레벨로 방전하고, 및 상기 n번째 구동 신호를 제2 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 단계를 포함하는 직류 타입 구동 장치의 동작 방법
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복수 개의 쉬프트 레지스터에서 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 직류 타입 구동 장치의 동작 방법에 있어서,옥사이드 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 상기 각 쉬프트 레지스터에게 상기 직류 타입의 전원을 공급하는 단계; 및상기 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 충전 유지 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생하는 단계를 포함하고,상기 클럭 신호를 발생하는 단계는상기 각 쉬프트 레지스터에서 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하기 위한 제1 클럭 신호를 발생하는 단계;상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하기 위한 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호를 발생하는 단계;상기 제1 클럭 신호의 반전된 신호인 제1 클럭 반전 신호를 발생하는 단계; 및상기 제2 클럭 신호의 반전된 신호인 제2 클럭 반전 신호를 발생하는 단계를 포함하는 직류 타입 구동 장치의 동작 방법
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제11항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체
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