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직류 타입 쉬프트 레지스터, 구동 장치 및 그 동작 방법(SHIFT REGISTER, DRIVING DEVICE BASED ON DIRECT CURRENT TYPE AND METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2016016523
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전하는 충전부, 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑(bootstrapping)하는 부트스트랩부, 상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 충전 유지부 및 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 출력 신호를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전하는 방전부를 포함하는 직류 타입 쉬프트 레지스터, 구동 장치 및 그 동작 방법을 개시한다.
Int. CL G09G 3/20 (2006.01)
CPC G09G 3/20(2013.01) G09G 3/20(2013.01)
출원번호/일자 1020150031496 (2015.03.06)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1666298-0000 (2016.10.07)
공개번호/일자 10-2016-0107916 (2016.09.19) 문서열기
공고번호/일자 (20161013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.06)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남형식 대한민국 인천광역시 연수구
2 송석정 대한민국 부산광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0222547-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0065070-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0129663-88
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0295273-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0295296-82
7 등록결정서
Decision to grant
2016.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0537755-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전하는 충전부;상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑(bootstrapping)하는 부트스트랩부;상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 충전 유지부; 및제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 출력 신호를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전하는 방전부를 포함하는 직류 타입 쉬프트 레지스터
2 2
제1항에 있어서,저온 다결정 실리콘(LTPS, low temperature polycrystalline silicon)을 포함하는 제1 내지 제9 스위칭 TFT(thin film transistor)와 부트스트랩 캐패시터를 이용하여 상기 게이트 하이 전압 및 게이트 로우 전압을 선택적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 직류 타입 쉬프트 레지스터
3 3
제2항에 있어서,상기 충전부는상기 제1 스위칭 TFT가 턴온(turn on)되어 상기 개시 신호 또는 상기 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 상기 제1 클럭 신호를 상기 제1 노드에 공급하고,상기 제3 스위칭 TFT가 턴오프(turn off)되어 상기 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하며,상기 충전된 제1 노드에 의해 상기 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 존재하는 상기 부트스트랩 캐패시터를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하고,제4 스위칭 TFT 및 제5 스위칭 TFT가 턴온되어 제3 노드를 상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전하며,상기 방전된 제3 노드에 의해 상기 제7 스위칭 TFT 및 상기 제9 스위칭 TFT가 턴오프되고,상기 충전된 제1 노드에 의해 상기 제8 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 출력 신호를 충전하되,상기 출력 신호는 상기 게이트 하이 전압 레벨과 상기 제8 스위칭 TFT의 문턱 전압 간의 차이로 충전되는직류 타입 쉬프트 레지스터
4 4
제2항에 있어서,상기 부트스트랩부는상기 제1 스위칭 TFT와 상기 제3 스위칭 TFT가 턴오프되어 상기 충전된 제1 노드를 플로팅(floating)하고,상기 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제2 클럭 신호를 제2 노드에 공급하며,상기 부트스트랩 캐패시터에 의해 상기 플로팅된 제 1노드를 부트스트랩핑하여 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 충전하고,상기 부트스트랩핑된 제1 노드에 의해 상기 제8 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는직류 타입 쉬프트 레지스터
5 5
제2항에 있어서,상기 방전부는상기 제2 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 클럭 반전 신호 및 상기 제2 클럭 반전 신호를 상기 제3 스위칭 TFT에게 공급하고,상기 제3 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 노드를 상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전하며,상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전된 제1 노드에 의해 상기 제6 스위칭 TFT 및 상기 제8 스위칭 TFT가 턴오프되고,상기 제4 스위칭 TFT가 턴온되어 제3 노드를 충전하며,상기 충전된 제3 노드에 의해 상기 제7 스위칭 TFT 및 상기 제9 스위칭 TFT가 턴온되어 제2 노드 및 상기 출력 신호를 상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는직류 타입 쉬프트 레지스터
6 6
N개의 쉬프트 레지스터에서 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 직류 타입 구동 장치에 있어서,n번째 쉬프트 레지스터(상기 n은 2이상 상기 N이하의 자연수)는,개시 신호 또는 n-1번째 쉬프트 레지스터의 n-1번째 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는 충전부;상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 부트스트랩부;상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 n번째 구동 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 충전 유지부; 및제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 n번째 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 방전부를 포함하는 직류 타입 구동 장치
7 7
복수 개의 쉬프트 레지스터에서 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 직류 타입 구동 장치에 있어서,상기 복수 개의 쉬프트 레지스터;저온 다결정 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 상기 각 쉬프트 레지스터에게 상기 직류 타입의 전원을 공급하는 전원 공급부; 및상기 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 충전 유지 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생하는 클럭 발생부를 포함하고,상기 클럭 발생부는상기 각 쉬프트 레지스터에서 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하기 위한 제1 클럭 신호를 발생하는 제1 클럭 발생부;상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하기 위한 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호를 발생하는 제2 클럭 발생부;상기 제1 클럭 신호의 반전된 신호인 제1 클럭 반전 신호를 발생하는 제1 반전 클럭 발생부; 및상기 제2 클럭 신호의 반전된 신호인 제2 클럭 반전 신호를 발생하는 제2 반전 클럭 발생부를 포함하는 직류 타입 구동 장치
8 8
제7항에 있어서,상기 직류 타입의 전원 및 상기 발생된 클럭 신호가 상기 복수 개의 쉬프트 레지스터에게 제공되도록 제어하는 제어부를 더 포함하는 직류 타입 구동 장치
9 9
삭제
10 10
제8항에 있어서,상기 제어부는상기 선정된 지연에 의해 상기 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 상기 구동 신호의 일부분이 오버랩핑되도록 제어하고, 상기 각 쉬프트 레지스터에서 상기 제1 클럭 반전 신호 및 상기 제2 클럭 반전 신호에 기초하여 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전되도록 제어하는직류 타입 구동 장치
11 11
개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는 단계;상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 단계;상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 단계; 및제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 출력 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 단계를 포함하는 직류 타입 쉬프트 레지스터의 동작 방법
12 12
N개의 쉬프트 레지스터에서 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 직류 타입 구동 장치의 동작 방법에 있어서,n번째 쉬프트 레지스터(상기 n은 2이상 상기 N이하의 자연수)의 동작 방법은,개시 신호 또는 n-1번째 쉬프트 레지스터의 n-1번째 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는 단계;상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 단계;상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 n번째 구동 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 단계; 및제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 n번째 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 단계를 포함하는 직류 타입 구동 장치의 동작 방법
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복수 개의 쉬프트 레지스터에서 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 직류 타입 구동 장치의 동작 방법에 있어서,저온 다결정 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 상기 각 쉬프트 레지스터에게 상기 직류 타입의 전원을 공급하는 단계; 및상기 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 충전 유지 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생하는 단계를 포함하고,상기 클럭 신호를 발생하는 단계는상기 각 쉬프트 레지스터에서 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하기 위한 제1 클럭 신호를 발생하는 단계;상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하기 위한 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호를 발생하는 단계;상기 제1 클럭 신호의 반전된 신호인 제1 클럭 반전 신호를 발생하는 단계; 및상기 제2 클럭 신호의 반전된 신호인 제2 클럭 반전 신호를 발생하는 단계를 포함하는 직류 타입 구동 장치의 동작 방법
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제11항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.