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a) 루테늄(Ru)을 복수회 반복하여 증착하는 단계; 및b) 망간(Mn)을 적어도 1회 증착하는 단계;를 포함하되,상기 단계 a)에서 루테늄(Ru)의 증착 횟수는 상기 단계 b)에서 망간(Mn)의 증착 횟수보다 많으며,상기 단계 a) 및 단계 b)는 복수회 반복되는,확산 방지막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 망간(Mn)은 상기 루테늄(Ru)에 함입되어 합금을 형성하는 것을 특징으로 하는 확산 방지막의 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 합금은 나노결정질(nanocrystalline)의 비-주상형(non-columnar) 결정 구조를 가지는 루테늄-망간(Ru-Mn) 합금인 것을 특징으로 하는 확산 방지막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 a) 및 단계 b)는 원자층 증착법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 확산 방지막의 형성 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 방법을 통해 기판 상에 확산 방지막을 형성하는 단계;기판 상에 형성된 확산 방지막을 어닐링하는 단계; 및어닐링된 확산 방지막 상에 금속 배선층을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 금속 배선의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 어닐링은 350 ℃ 내지 550 ℃의 범위 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 어닐링을 통해 상기 기판과 상기 확산 방지막의 접촉 계면에 망간 산화물이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 기판이 실리콘 기판인 경우, 상기 망간 산화물은 실리콘-망간 산화물(MnxSiOy)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 금속 배선층은 상기 확산 방지막을 시드(seed)층으로 하여 전해 도금되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 금속 배선층은 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선의 제조 방법
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기판 상에 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 방법을 통해 형성된 확산 방지막과 상기 확산 방지막 상에 전해 도금된 금속 배선층을 포함하고, 상기 기판과 상기 확산 방지막의 접촉 계면에 망간 산화물이 형성된 반도체 소자의 금속 배선
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제11항에 있어서,상기 망간 산화물은 상기 확산 방지막의 어닐링을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선
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제11항에 있어서,상기 기판이 실리콘 기판인 경우, 상기 망간 산화물은 실리콘-망간 산화물(MnxSiOy)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선
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제11항에 있어서,상기 금속 배선층은 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선
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