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기판 상의 레지스트 층을 노광하여 나노 홀 패턴을 패터닝하는 단계;상기 나노 홀 패턴이 패터닝된 상기 기판 상의 레지스트 층에, 한층 이상의 금속 막을 증착하는 단계;자기장에 노출시켜, 상기 나노 홀 패턴에 의한 적어도 하나의 나노 홀 어레이를, 상기 한층 이상의 금속 막에 형성하는 단계; 및상기 나노 홀 어레이로 광을 입사하여 표면 플라즈몬을 발생시켜, 상기 표면 플라즈몬에 의해, 상기 한층 이상의 금속 막이 광투과성을 갖도록 하는 단계를 포함하는 금속 나노 홀 어레이에 의한 표면 플라즈몬 현상을 이용한 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법
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제6항에 있어서,상기 기판 상에 레지스트 층을 스핀 코팅(Spin Coating)하는 단계; 및상기 스핀 코팅에 의해 생성된 상기 기판 상의 레지스트 층을 소프트 베이킹(Soft Baking)하여 잔류 용매를 제거하는 단계를 더 포함하고,상기 나노 홀 패턴을 패터닝하는 단계는,상기 잔류 용매가 제거된 상기 기판 상의 레지스트 층을 노광하는 단계를 포함하는 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법
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제6항에 있어서,상기 나노 홀 패턴을 패터닝하는 단계는,포지티브 레지스트(Positive Resist)에 따라, 상기 기판 상의 레지스트 층에서 노광되는 영역을 제거하여, 상기 나노 홀 패턴을 패터닝하는 단계; 또는네거티브 레지스트(Negative Resist)에 따라, 상기 기판 상의 레지스트 층에서 노광되는 영역을 제외한 나머지 영역을 제거하여, 상기 나노 홀 패턴을 패터닝하는 단계를 포함하는 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법
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제6항에 있어서,상기 나노 홀 패턴을 패터닝하는 단계는,원형 또는 다각형으로 이루어지는 하나 이상의 나노 홀을, 선정된 간격으로 상기 기판 상의 레지스트 층에 이격시켜 배열 함으로써, 상기 나노 홀 패턴을 패터닝하는 단계를 포함하는 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법
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제6항에 있어서,상기 기판과 수평하는 방향, 및 상기 기판에 수직하는 방향 중 적어도 하나의 자화 방향으로, 상기 한층 이상의 금속 막을 상기 자기장에 노출시키는 단계를 더 포함하는 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법
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제6항에 있어서,상기 적어도 하나의 나노 홀 어레이를, 상기 한층 이상의 금속 막에 형성하는 단계는,제거 용액을 이용하여 상기 기판 상의 레지스트 층을 제거하여, 상기 적어도 하나의 나노 홀 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법
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제6항에 있어서,상기 기판 상의 레지스트 층의 두께는,스핀 코팅 시의 RPM(Revolution Per Minute)과, 폴리메타크릴산 메틸(Poly(methyl methacrylate), PMMA) 희석도에 의해 조절되는금속 막 구조 투명 자석 제작 방법
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제6항에 있어서,상기 나노 홀 패턴의 패터닝에 앞서, 상기 한층 이상의 금속 막이 상기 기판에 증착되는 경우,이빔 리소그래피 공정 대신에 건식 식각을 통해, 상기 나노 홀 패턴에 의한 적어도 하나의 나노 홀 어레이를, 상기 한층 이상의 금속 막에 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법
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제6항에 있어서,상기 나노 홀 패턴을 패터닝하는 단계는,이빔 리소그래피 공정 대신에 기판을 준비하는 제1 단계;상기 기판 상의 적어도 일부를 고분자 나노 입자를 포함하는 코팅용액으로 드롭 코팅(drop coating)하는 제2 단계;상기 드롭 코팅된 영역 및 드롭 코팅되지 않은 영역 상부에, 상기 한층 이상의 금속 막을 증착하여 자기장에 노출시키는 제3 단계; 및상기 고분자 나노 입자를 제거하여, 상기 기판 상에 오목한 하나 이상의 나노 홀을 형성하는 제4 단계를 포함하는 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법
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제6항에 있어서,상기 적어도 하나의 나노 홀 어레이를, 상기 한층 이상의 금속 막에 형성하는 단계는,상기 패터닝의 종료에 연동하여, 상기 한층 이상의 금속 막에 대해, 열 처리와 동시에 상기 자기장에 노출시켜 자화시키는 단계를 포함하는 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법
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