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대향 타겟식 스퍼터링 장치(FACING TARGET SPURTTERING APPARATUS)

  • 기술번호 : KST2016016720
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대향 타겟식 스퍼터링 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명의 일 측면에 따른 대향 타겟식 스퍼터링 장치는, 소정의 공간을 에워싸는 타겟면과 타겟면의 후면에 배치된 자기장 발생유닛을 포함하는 제 1 스퍼터링부, 제 1 스퍼터링부의 하부에 배치되고, 소정의 공간을 에워싸는 타겟면과 타겟면의 후면에 배치된 자기장 발생유닛을 포함하는 제 2 스퍼터링부, 및 제 1 스터퍼링부의 상부에 형성된 개구부를 덮도록 배치된 덮개부를 포함하되, 제 1 스퍼터링부의 타겟면과 제 2 스퍼터링부의 타겟면의 소스물질이 상이한 것이다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01)
CPC C23C 14/3471(2013.01)
출원번호/일자 1020150033212 (2015.03.10)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1686802-0000 (2016.12.09)
공개번호/일자 10-2016-0109204 (2016.09.21) 문서열기
공고번호/일자 (20161215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.10)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한전건 대한민국 서울특별시 송파구
2 문룡 중국 경기도 수원시 장안구
3 이준석 대한민국 강원도 원주시
4 진수봉 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0233448-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.11.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0002267-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0335165-84
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0669925-19
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0669924-74
7 등록결정서
Decision to grant
2016.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0843463-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
대향 타겟식 스퍼터링 장치에 있어서,소정의 공간을 에워싸는 타겟면과 상기 타겟면의 후면에 배치된 자기장 발생 유닛을 포함하는 제 1 스퍼터링부,상기 제 1 스퍼터링부의 하부에 배치되고, 소정의 공간을 에워싸는 타겟면과 상기 타겟면의 후면에 배치된 자기장 발생 유닛을 포함하는 제 2 스퍼터링부, 상기 제 1 스터퍼링부의 상부에 형성된 개구부를 덮도록 배치된 덮개부, 및상기 제 1 스퍼터링부 및 제 2 스퍼터링부는 타겟 사이의 공간에 플라즈마를 형성하기 위한 전원을 인가하는 전원 장치를 포함하고,상기 제 1 스퍼터링부의 타겟면과 제 2 스퍼터링부의 타겟면의 소스물질이 상이한 것이고,상기 전원 장치는 상기 제 1스퍼터링부의 자기장 발생 유닛에 전원을 인가하는 제 1 전원 장치 및 상기 제 2 스퍼터링부의 자기장 발생 유닛에 전원을 인가하는 제 2 전원 장치를 포함하되,상기 제 1 전원 장치의 전원의 세기가 조절됨에 따라 상기 제 1 스퍼터링부의 타겟면을 구성하는 제 1 소스 물질의 농도가 조절되고,상기 제 2 전원 장치의 전원의 세기가 조절됨에 따라 상기 제 2 스퍼터링부의 타겟면을 구성하는 제 2 소스 물질의 농도가 조절되며,기재 상에 제 1 소스 물질 및 제 2 소스 물질 중 어느 하나 이상을 포함하는 박막이 증착되는 것인 대향 타겟식 스퍼터링 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 스퍼터링부는 서로 마주보도록 배치되고, 소정의 간격만큼 이격되며, 소정의 너비를 가진 한쌍의 제 1 타겟, 및 상기 제 1 타겟의 단부에 배치되고, 상기 소정의 간격만큼의 너비를 가지며, 상기 제 1 타겟의 너비만큼 이격되고, 서로 마주보도록 배치된 한쌍의 제 2 타겟을 포함하는 대향 타겟식 스퍼터링 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 2 스퍼터링부는 서로 마주보도록 배치되고, 소정의 간격만큼 이격되고, 소정의 너비를 가진 한쌍의 제 3 타겟, 및상기 제 3 타겟의 단부에 배치되고, 상기 소정의 간격만큼의 너비를 가지며, 상기 제 3 타겟의 너비만큼 이격되고, 서로 마주보도록 배치된 한쌍의 제 4 타겟을 포함하는 대향 타겟식 스퍼터링 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 스퍼터링부의 상부에 형성된 개구부와 제 2 스퍼터링부의 상부에 형성된 개구부의 형상이 동일한 대향 타겟식 스퍼터링 장치
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 스퍼터링부의 단면의 형상과 제 2 스퍼터링부의 단면의 형상이 동일하되, 상기 단면은 상기 제 1 스퍼터링부와 제 2 스퍼터링부의 적층방향에 수직한 방향인 것인 대향 타겟식 스퍼터링 장치
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 덮개부는 제 3 소스 물질로 이루어진 타겟면과 상기 타겟면의 후면에 배치된 자기장 발생 유닛 및 상기 자기장 발생 유닛에 전원을 인가하는 제 3 전원 장치를 더 포함하고, 상기 제 3 전원 장치의 전원의 세기가 조절됨에 따라 기재 상에 상기 제 3 소스 물질의 농도가 조절되며 기재 상에 제 3 소스 물질을 포함하는 박막이 증착되는 것인 대향 타겟식 스퍼터링 장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제 1 전원 장치, 제 2 전원 장치 및 제 3 전원 장치의 전원의 세기를 조절하여 상기 제 1 내지 제 3 소스 물질이 선택적으로 혼합된 혼합 박막을 기재 상에 증착하되, 상기 전원 장치의 전원의 세기가 조절됨에 따라 상기 기재 상에 각 타겟의 소스 물질의 농도가 조절되어 증착되는 것인, 대향 타겟식 스퍼터링 장치
10 10
제 8 항에 있어서,상기 제 1 소스 물질, 제 2 소스 물질, 및 제 3 소스 물질 중 하나 이상은 서로 상이한 소스 물질인 것인 대향 타겟식 스퍼터링 장치
11 11
제 8 항에 있어서,상기 제 1 소스 물질, 제 2 소스 물질, 및 제 3 소스 물질은 서로 동일한 소스 물질인 것인 대향 타겟식 스퍼터링 장치
12 12
제 1 항에 있어서,진공 챔버; 및상기 진공 챔버의 내부를 진공 상태로 만들기 위한 진공 펌프를 더 포함하는 대향 타겟식 스퍼터링 장치
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 진공 챔버는 상기 자기장 발생 유닛을 냉각시키기 위한 냉각 수단을 더 포함하는 것인 대향 타겟식 스퍼터링 장치
14 14
제 12 항에 있어서,상기 기재를 이동시키는 이동 유닛을 더 포함하되,상기 이동 유닛은 상기 기재를 상기 진공 챔버의 내부로 공급한 다음 상기 진공 챔버의 외부로 배출하는 것인 대향 타겟식 스퍼터링 장치
15 15
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 스퍼터링부, 제 2 스퍼터링부 및 덮개부가 에워싸는 소정의 공간에 반응 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 더 포함하는 것인 대향 타겟식 스퍼터링 장치
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패밀리정보가 없습니다
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