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질화갈륨계 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법(High-efficiency GaN-based light-emitting diodes and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2016016756
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판; 질화갈륨 계열의 n형 반도체층; 질화갈륨 계열의 p형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 개재된 활성층;을 포함하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드에 있어서, 상기 질화갈륨 계열의 p형 반도체층에 접촉되는 투명전극이 Ag 나노와이어를 포함하여 형성된 것임을 특징으로 하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/40 (2010.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020150034916 (2015.03.13)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0109815 (2016.09.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오문식 대한민국 전라북도 군산시 삼화길 ** (
2 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0247114-98
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0834113-02
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0098070-50
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0197770-46
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0197756-17
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0505221-31
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0886830-60
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0886819-67
10 등록결정서
Decision to grant
2017.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0028335-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;질화갈륨 계열의 n형 반도체층;질화갈륨 계열의 p형 반도체층; 및상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 개재된 활성층;을 포함하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드에 있어서, 상기 질화갈륨 계열의 p형 반도체층에 접촉되는 투명전극이 Ag 나노와이어를 포함하여 형성되며,상기 Ag 나노와이어를 포함하는 투명전극은 상기 p형 반도체층에 프로빙 패드를 형성하고, 노출된 p형 반도체층 및 상기 프로빙 패드 위에 리프트-오프 기술 수단에 의해 선택적으로 Ag 나노와이어를 분산시킨 디스퍼젼을 코팅하여 형성되고,상기 질화갈륨계 고효율 발광다이오드는 3 V에서 120 내지 141 ㎛의 전류 퍼짐 길이를 가지는 것인 질화갈륨계 고효율 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 Ag 나노와이어를 포함하는 투명전극은 10 nm ~ 200 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드
3 3
제1항에 있어서, 상기 질화갈륨계 고효율 발광다이오드는사파이어(Sapphire) 기판;상기 기판 상부에 위치하는 하부 GaN층;상기 하부 GaN층 상에 위치하는 질화갈륨 계열의 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 위치하는 질화갈륨 계열의 p형 반도체층; 및상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 개재된 활성층;을 포함하며, 상기 활성층은 InGaN/GaN층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드
4 4
기판 상부에 하부 GaN층을 적층하는 단계;상기 하부 GaN층 상에 질화갈륨 계열의 n형 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 반도체층 상에 InGaN/GaN 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 질화갈륨 계열의 p형 반도체층을 형성하는 단계;n 전극을 형성하기 위하여 건식식각 공정에 의해 상기 n형 반도체층을 노출시키는 단계;상기 노출된 n형 반도체층 상에 n전극을 증착하는 단계; 및상기 p형 반도체층에 프로빙 패드를 형성하고, 노출된 p형 반도체층 및 상기 프로빙 패드 위에 리프트-오프 기술 수단에 의해 선택적으로 Ag 나노와이어를 분산시킨 디스퍼젼을 코팅하여 상기 질화갈륨 계열의 p형 반도체층에 접촉되는 투명전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것인 질화갈륨계 고효율 발광다이오드의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,Ag 나노와이어를 분산시킨 디스퍼젼은 디스퍼젼 총 중량에 대하여 Ag 나노와이어 2 내지 20 중량% 및 용매 80 내지 98 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제4항에 있어서,상기 Ag 나노와이어 디스퍼젼으로 형성된 투명전극의 두께는 10 nm ~ 200 nm인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 신진연구지원사업 고신뢰도 수직형 질화갈륨 발광다이오드 제조 및 특성평가연구
2 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 UV LED 소자 제조 및 응용 기술 개발