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쇼트키 다이오드 및 그 제조방법(SCHOTTKY DIODE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016016757
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브층 및 쇼트키 금속층이 반도체 기판 위에 순차적으로 적층된 다층 구조를 갖는 쇼트키 전극을 포함하여 쇼트키 다이오드의 장벽을 높임으로서, 현저히 개선된 저 누설전류 특성을 나타낼 수 있는 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/872 (2006.01) H01L 29/47 (2006.01)
CPC H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자 1020150032458 (2015.03.09)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0108959 (2016.09.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영란 대한민국 전라북도 임실군
2 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0228321-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0008652-33
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0437596-18
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0798416-84
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0903295-87
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0902964-45
9 등록결정서
Decision to grant
2017.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0069841-57
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화갈륨(GaN) 반도체를 포함하는 반도체 기판, 상기 반도체 기판 위에 위치하여 상기 반도체 기판과 오믹 접촉을 형성하며, 중심부에 관통 홀을 포함하는 오믹 전극, 그리고 상기 오믹 전극의 관통 홀 내로 노출된 상기 반도체 기판 위에 상기 오믹 전극과는 이격되어 위치하며, 상기 반도체 기판과 쇼트키 접촉을 형성하는 쇼트키 전극을 포함하며, 상기 쇼트키 전극은 상기 반도체 기판 위에, 탄소나노튜브층 및 팔라듐(Pd)을 포함하는 쇼트키 금속층이 순차적으로 적층된 다층 구조이며,상기 다층 구조의 상기 쇼트키 전극은 400 내지 600℃의 온도에서 열처리된 것인 쇼트키 다이오드
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브층은 반도체성질을 가지는 단일벽 탄소나노튜브로 이루어진 것인 쇼트키 다이오드
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 쇼트키 금속층은 0
6 6
질화갈륨(GaN) 반도체를 포함하는 반도체 기판 위에, 중심부에 관통 홀을 포함하는 오믹 전극을 형성하는 단계; 상기 오믹 전극의 관통 홀 내로 노출된 상기 반도체 기판 위에 상기 오믹 전극과 이격하여, 탄소나노튜브층 및 팔라듐(Pd)을 포함하는 쇼트키 금속층이 순차적으로 적층된 다층 구조물을 형성하는 단계; 및상기 다층 구조물을 400 내지 600℃의 온도에서 열처리하여 쇼트키 전극을 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 다이오드의 제조방법
7 7
삭제
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 신진연구지원사업 고신뢰도 수직형 질화갈륨 발광다이오드 제조 및 특성평가 연구
2 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 UV LED 소자 제조 및 응용 기술 개발