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NAND 플래시 메모리의 QC-LDPC 코드 생성 방법 및 회로(METHOD AND CIRCUIT FOR QC-LDPC CODES IN NAND FLASH MEMORY)

  • 기술번호 : KST2016016898
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 NAND 플래시 메모리의 QC-LDPC 코드 생성 방법 및 회로에 관한 것으로서, redundancy 확장 단계에 따른 패리티-체크 행렬의 범위에 대응하여 내부 정보와 외부 정보를 초기화하는 단계와, 외부 정보를 갱신하는 단계와, 코드워드의 각 비트를 결정하는 단계와, 코드워드의 패리티-체크 결과에 따라 복호 단계 확장 여부를 결정하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, redundancy의 크기를 확장시킴으로써 오류정정률을 높일 수 있고, 오류정정률을 높임으로써 NAND 플래시 메모리의 수명을 연장시킬 수 있다.
Int. CL H03M 13/11 (2006.01) G11C 29/10 (2015.01) G11C 29/42 (2015.01) G11C 29/00 (2006.01) G11C 29/24 (2006.01)
CPC G11C 29/42(2013.01) G11C 29/42(2013.01) G11C 29/42(2013.01) G11C 29/42(2013.01) G11C 29/42(2013.01) G11C 29/42(2013.01)
출원번호/일자 1020150034564 (2015.03.12)
출원인 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0110788 (2016.09.22) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이현빈 대한민국 대전광역시 서구
2 강태근 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0243834-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0075843-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0526056-30
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0910769-81
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1021078-66
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-1021031-21
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0143073-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0400442-28
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0400462-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
13 등록결정서
Decision to grant
2017.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0610506-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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NAND 플래시 메모리의 redundancy를 확장하여 QC-LDPC 코드 생성 방법에 있어서,패리티-체크 행렬의 각 패리티-체크가 변경될 경우 상기 패리티-체크 행렬과 종속된 전체적인 부호 행렬의 구성패턴도 함께 변경되는 것을 방지하기 위하여,상기 패리티-체크 행렬을 가우스-소거에 의하여 redundancy에 해당하는 부분을 단위행렬 형태가 되도록 구성하여, 복호에 사용되는 redundancy 확장시 redundancy에 해당하는 부분이 단위행렬로 구성되어 있기 때문에 기존의 패리티-체크 행이 유지되면서, 기존의 redundancy 패턴이 그대로 유지되도록 구성된 것을 특징으로 하는 NAND 플래시 메모리의 QC-LDPC 코드 생성 방법
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NAND 플래시 메모리의 QC-LDPC 코드 생성 회로에 있어서,해당 출력은 다음단의 XOR 입력으로 하도록 XOR을 연속적으로 연결하고,각 XOR에는 m1, m2, m3, …, mi 및 redundancy에 해당하는 비트가 각각 입력되며,상기 m1이 입력되는 XOR에 m0가 입력되고,상기 redundancy에 해당하는 비트가 입력되는 XOR의 출력과 상기 mi가 입력되는 XOR의 출력이 멀티플렉서로 입력되면서, 부호화 과정과 복호화 과정에서의 하드웨어구조를 공유하는 것을 특징으로 하는 NAND 플래시 메모리의 QC-LDPC 코드 생성 회로
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연구사업지원팀 신진교수연구지원사업 플래시 메모리의 마모로 인한 오류 증가를 극복하기 위한 오류율 예측 방법과 확장 가능한 LDPC 구조 연구