| 1 |
1
기판 상에 금속레지스트를 코팅하여, 금속레지스트층을 형성하는 제1단계;상기 금속레지스트층을 패턴화하여, 상기 기판의 일부 영역을 노출시키고, 일정 주기(c), 5nm~100nm의 폭(a) 및 높이(b)를 갖는 금속레지스트 패턴을 형성하는 제2단계; 및상기 금속레지스트 패턴에 에너지를 가하여, 상기 금속레지스트에 포함된 유기물의 분해 및 금속 분자 간 응집에 따른 상기 금속레지스트 패턴의 주기(c), 폭(a) 및 높이(b)에 대응하여 일정 주기(e),(f), 크기(d)를 갖는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체를 형성하는 제3단계;를 포함하여 이루어지며,상기 기판의 표면 에너지 상태를 조절하여 상기 금속산화물 나노입자의 형태를 조절하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 금속레지스트는,MiOj(CkHl)m으로 이루어진 물질로서,M은 금속(Metal), O는 산소(Oxygen), C는 탄소(Carbon), H는 수소(Hydrogen), i,j,k,l,m은 자연수인 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 제2단계는,e-beam 리소그래피, 나노임프린트 리소그래피 및 포토리소그래피 중 어느 하나의 방법에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 제3단계의 금속레지스트 패턴에 에너지를 가하는 방법은,열처리, 산소플라즈마 처리 및 마이크로웨이브 인가 중 어느 하나의 방법에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서, 상기 열처리 온도 및 시간, 상기 산소플라즈마 처리 파워 및 시간, 마이크로웨이브 인가 파워 및 시간을 조절하여 상기 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 크기(d) 및 주기(f)를 조절하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서, 상기 금속레지스트 패턴의 폭(a) 및 높이(b)를 조절하여, 상기 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 크기(d) 및 주기(f)를 조절하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서, 상기 금속레지스트 패턴의 주기(c)를 조절하여, 상기 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 주기(e)를 조절하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서, 상기 기판의 표면 에너지 상태의 조절은,기판의 산화처리 또는 플리즈마 처리에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 11 |
11
제 1항에 있어서, 상기 금속레지스트 내 금속의 함량을 조절하여 금속산화물 나노입자의 크기(d)를 제어하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 12 |
12
제 1항, 제 2항, 제4항 내지 제8항, 제10항 및 제 11항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자는, 상기 제 3단계의 에너지를 가할 때 반응 가스의 농도 또는 종류를 순차적으로 조절하여, 코어-셀 구조의 금속산화물 나노입자를 구현하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 13 |
13
제 12항에 있어서, 상기 코어-셀 구조의 금속산화물 나노입자는,상기 코어 또는 셀 구조의 형성시 특정 촉매 물질을 투입하여, 코어 또는 셀에 따른 반응 정도를 조절하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법
|
| 14 |
14
제 13항의 제조방법에 의해 제조된 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체
|
