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(a) 기판 위에 제 1 금속을 증착하여, 상기 기판 위에 서로 분리된 복수의 제 1 금속의 결정체들을 형성하는 단계;(b) 상기 기판위에 제 2 금속을 증착하여 상기 제 1 금속 결정체들 사이를 채우는 단계; 및(c) 상기 기판에 열처리를 수행하여, 상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속을 상호간에 확산시키고 산화시켜, 상기 제 1 금속 결정체를 상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속을 포함하는 투명 결정체로 변화시키고, 상기 제 2 금속으로 상기 투명 결정체들 사이를 채우는 금속 메쉬를 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 제 2 금속은 상기 제 1 금속 결정체들 사이와, 상기 제 1 금속 결정체들 위에 증착되고,상기 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법은, (d) 상기 투명 결정체 위에 남아있는 제 2 금속의 산화물을 제거하는 단계를 포함하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 상기 금속 메쉬의 산화된 표면까지 함께 제거하는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는300℃ ~ 700℃의 산소(O2) 또는 대기 분위기에서 30초 내지 2분간 열처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서상기 제 2 금속은 상기 제 1 금속 결정체들의 두께보다 더 큰 두께로 상기 제 1 금속 결정체들 사이의 상기 기판 상부 및 상기 제 1 금속 결정체들 상부에 일체로 증착되는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 (c) 단계는(c1) 상기 제 1 금속 결정체들의 두께와 상기 제 1 금속 결정체들 위에 형성된 상기 제 2 금속의 두께가 사전에 정의된 비율이 되도록, 상기 제 2 금속의 상부면을 평탄하게 제거하는 단계;(c2) 상기 (c1) 단계에서 상부면이 평탄하게 된 기판을 열처리함으로써, 상기 제 1 금속 결정체와 상기 제 2 금속을 상호 확산시켜, 혼합 금속 결정체 및 상기 혼합 금속 결정체 사이를 채우는 금속 메쉬를 형성하는 단계; 및(c3) 상기 기판을 산소 분위기 또는 대기 분위기에서 열처리하여 상기 혼합 금속 결정체를 투명 결정체로 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 (c4) 상기 (c3) 단계에서 산화된 상기 금속 메쉬의 표면을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (c1) 단계는건식 식각 또는 CMP(Chemical Mechanical Planariation) 공정을 수행하여 상기 제 2 금속의 상부면을 평탄하게 제거하는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (c2) 단계는 질소 및 아르곤 분위기에서, 300℃ 내지 500℃ 의 온도에서, 15분 내지 30분 동안 열처리를 수행하고, 상기 (c) 단계는 300℃ ~ 700℃의 산소(O2) 또는 대기 분위기에서 30초 내지 2분간 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,제 1 금속 및 제 2 금속은 그 산화물이 투명하고 전도성이 있는 금속에서 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법
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