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투명전극에 있어서,투명기판; 및상기 투명기판 상에 삽입(embedding)되어 형성된 나노와이어를 포함하는 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극
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제1항에 있어서,상기 나노와이어 표면에는 표면에너지 제어를 통한 전사율 제어를 위해 표면처리가 수행된 것인 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극
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제2항에 있어서,상기 표면처리를 위해 사용되는 물질은 실란계열 물질인 것인 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극
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제3항에 있어서,상기 실란계열의 물질은 소수성 또는 친수성 물질을 포함하는 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극
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제4항에 있어서,상기 소수성 물질은 OTS(Octadecyltrichlorosilane), 상기 친수성 물질은 MPS(Methacryloxy propyl trimehoxysilane)을 포함하는 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극
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제1항에 있어서,상기 투명기판은 PDMS (Polydimethylsiloxane)로 형성되는 것인 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극
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제1항에 있어서,상기 나노와이어는 은나노와이어(Ag nano-wire)로 형성된 것인 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극
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8
투명기판과 상기 투명기판 상에 삽입(embedding)되어 형성된 나노와이어를 포함하는 투명전극;상기 투명전극 상에 형성된 정공수송층;상기 정공수송층 상부에 형성된 활성층; 및상기 활성층 상부에 형성된 상부전극을 포함하는 유기태양전지
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제8항에 있어서,상기 나노와이어 표면에는 표면에너지 제어를 통한 전사율 제어를 위해 표면처리가 수행된 것인 유기태양전지
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제9항에 있어서,상기 표면처리를 위해 사용되는 물질은 실란계열 물질인 것인 유기태양전지
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제10항에 있어서,상기 실란계열의 물질은 OTS(Octadecyltrichlorosilane)을 포함하는 소수성 물질 또는 MPS(Methacryloxy propyl trimehoxysilane)을 포함하는 친수성 물질인 것인 유기태양전지
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제8항에 있어서,상기 투명기판은 PDMS (Polydimethylsiloxane)로 형성되는 것인 유기태양전지
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제8항에 있어서,상기 나노와이어는 은나노와이어(Ag nano-wire)로 형성된 것인 유기태양전지
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투명전극 제조방법에 있어서,희생기판을 세정하는 단계;상기 희생기판 상에 나노와이어를 형성하는 단계;상기 나노와이어 표면에 표면처리를 수행하는 단계;상기 희생기판 상에 상기 나노와이어가 삽입(embedding)되도록 투명기판을 위한 층을 적층하는 단계; 및상기 희생기판을 제거하는 단계를 포함하는 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극 제조방법
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제14항에 있어서,상기 나노와이어는 상기 희생기판 상에 스핀코팅 또는 스프레이코팅을 이용하여 형성되는 것인 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극 제조방법
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제14항에 있어서,상기 표면처리를 수행하는 단계에서 표면처리를 위해 사용되는 물질은 실란계열 물질과 톨루엔을 혼합한 혼합물질인 것인 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극 제조방법
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제16항에 있어서,상기 실란계열의 물질은 OTS(Octadecyltrichlorosilane)을 포함하는 소수성 물질 또는 MPS(Methacryloxy propyl trimehoxysilane)을 포함하는 친수성 물질인 것인 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극 제조방법
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제16항에 있어서,상기 표면처리를 수행하는 단계에서 상기 혼합물질은 상기 은나노와이어 패턴층 상부에 스핀코팅 후 60℃~100℃에서 10분~30분 동안 열처리(thermal annealing)를 수행하는 것인 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극 제조방법
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제14항에 있어서,상기 투명기판은 PDMS (Polydimethylsiloxane)로 형성되는 것인 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극 제조방법
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제14항에 있어서,상기 나노와이어는 은나노와이어(Ag nano-wire)로 형성된 것인 금속메쉬의 표면에너지 제어를 통한 투명전극 제조방법
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