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기판 상에 ITO 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 및 상기 ITO 전극 상에 상기 ITO 전극의 일부분이 노출되도록 절연성 부동태층을 형성하는 단계; 및 상기 ITO 전극의 일부분 및 상기 절연성 부동태층 상에 ITO 나노선들을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 ITO 나노선들 중 일부를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 일부를 제거하는 단계는 상기 ITO 나노선들 중 상기 ITO 전극의 일부분의 가장자리에 인접하는 ITO 나노선들을 제거하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 ITO 전극의 일부분의 가장자리에 인접하는 ITO 나노선들은 상기 ITO 전극 상의 상기 절연성 부동태층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 ITO 나노선들은, 상기 ITO 전극의 일부분 상에 형성되는 제1 나노선들, 및 상기 절연성 부동태층 상에 형성되는 제2 나노선들을 포함하고,상기 일부를 제거하는 단계는, 상기 제2 나노선들 중 상기 제1 나노선들에 인접하는 부분을 제거하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 일부를 제거하는 단계는, 상기 ITO 나노선들 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 ITO 전극의 일부분의 가장자리에 인접하는 ITO 나노선들이 노출되도록 상기 포토레지스트를 패터닝하는 단계; 상기 노출된 ITO 나노선들을 제거하는 단계; 및상기 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 노출된 ITO 나노선들을 제거하는 단계는 ITO 식각제를 이용하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 일부가 제거된 상기 ITO 나노선들 상에 폴리디라이신(poly-D-lysine)을 결합하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 ITO 나노선들을 형성하는 단계는 스퍼터링(Sputtering) 또는 펄스레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition)을 이용하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극 제조 방법
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기판; 상기 기판 상에 형성되는 ITO 전극; 상기 기판 및 상기 ITO 전극 상에 형성되며, 상기 ITO 전극의 일부분을 노출시키는 절연성 부동태층; 및상기 ITO 전극의 일부분 및 상기 절연성 부동태층 상에 형성되는 ITO 나노선들;을 포함하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극
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제10항에 있어서, 상기 ITO 나노선들은, 상기 ITO 전극의 일부분 상에 형성되는 제1 나노선들, 및 상기 절연성 부동태층 상에 형성되는 제2 나노선들을 포함하고, 상기 제1 나노선들과 제2 나노선들은 ITO 나노선이 존재하지 않는 영역에 의해 서로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극
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제11항에 있어서, 상기 ITO 나노선이 존재하지 않는 영역은 상기 ITO 전극 상의 상기 절연성 부동태층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극
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제12항에 있어서, 상기 ITO 나노선들 상에 결합되는 폴리디라이신(poly-D-lysine);을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신경 신호 측정용 신경전극
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