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메모리 소자(Memory device)

  • 기술번호 : KST2016017117
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고, 상기 캐핑층은 적어도 두개의 층으로 형성된 메모리 소자가 제시된다.
Int. CL H01L 43/02 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01) H01L 43/10 (2006.01)
CPC H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01)
출원번호/일자 1020150045174 (2015.03.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0112890 (2016.09.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150037234   |   2015.03.18
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이두영 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0315078-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0016637-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0315783-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0624981-78
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0624989-32
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0862530-63
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.12.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1230948-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-1230947-74
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0012260-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고,상기 캐핑층은 적어도 두개의 층으로 형성되며,상기 캐핑층은 상기 자기 터널 접합에 인접한 제 1 캐핑층이 bcc 구조의 물질로 형성되고, 상기 합성 교환 반자성층에 인접한 제 2 캐핑층이 상기 합성 교환 반자성층 물질의 하부 확산을 방지하는 물질로 형성된 메모리 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 하부 전극은 다결정의 도전 물질로 형성되는 메모리 소자
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 버퍼층은 탄탈륨을 포함하는 물질로 형성된 메모리 소자
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 자기 터널 접합은 자유층, 터널 배리어 및 고정층을 포함하고, 상기 자유층은 수평 자화를 갖는 제 1 자유층, 자화를 갖지 않는 분리층 및 수직 자화를 갖는 제 2 자유층을 포함하는 메모리 소자
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자유층은 CoFeB를 포함하는 물질로 형성되며, 상기 제 1 자유층이 상기 제 2 자유층보다 두껍게 형성된 메모리 소자
6 6
삭제
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 캐핑층은 W로 형성되고, 상기 제 2 캐핑층은 Ta로 형성된 메모리 소자
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 합성 교환 반자성층은 제 1 자성층, 비자성층 및 제 2 자성층의 적층 구조로 형성되고, 상기 제 1 및 제 2 자성층은 Pt를 포함하는 물질로 형성된 메모리 소자
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 제 1 자성층은 Co/Pt의 단일층으로 형성되고, 제 2 자성층은 Co/Pt가 적어도 2회 이상 적층된 다층 구조로 형성된 메모리 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2016148395 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN107710433 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN107710433 CN 중국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 중견연구자지원 3차원 적층 cross-bar 수직형 스핀토크 자기저항 메모리 집적화 기술 연구