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하기 화학식 1로 표현되는 불화물계 형광본체; 및상기 불화물계 형광본체 표면에 형성된 소수성 피복층을 포함하고,[화학식 1]A2BF6:Mn4+상기 화학식 1에서 A는 1가 금속 양이온으로 Li, Na, K, Rb 및 Cs로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 1종의 원소이고, B는 4가 양이온으로 Ge, Si, Sn 및 Ti로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 1종의 원소이고,상기 소수성 피복층은 소수성기를 가지는 유기물로서 myristic acid, trioctylphosphine, trioctylphosphine oxide, cellulose triacetate, 1-Octadecene, palmitic acid 또는 oleic acid인 것을 특징으로 하는 불화물계 형광체
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제1항에 있어서, 상기 불화물계 형광본체는 K2SiF6:Mn4+인 것을 특징으로 하는 불화물계 형광체
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청색광을 방출하는 발광 다이오드 상에 배치되고, 상기 청색광을 흡수하여 특정 파장대의 광을 방출하는 형광체를 가지는 발광 소자에 있어서,상기 형광체는,하기 화학식 2로 표현되는 불화물계 형광본체; 및상기 불화물계 형광본체 표면에 형성된 소수성 피복층을 포함하고,[화학식 2]A2BF6:Mn4+상기 화학식 2에서 A는 1가 금속 양이온으로 Li, Na, K, Rb 및 Cs로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 1종의 원소이고, B는 4가 양이온으로 Ge, Si, Sn 및 Ti로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 1종의 원소이고,상기 소수성 피복층은 소수성기를 가지는 유기물로서 myristic acid, trioctylphosphine, trioctylphosphine oxide, cellulose triacetate, 1-Octadecene, palmitic acid 또는 oleic acid인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제5항에 있어서, 상기 불화물계 형광본체는 K2SiF6:Mn4+인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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유기용매에 불화물계 형광본체를 혼입하는 단계;상기 불화물계 형광본체가 혼입된 유기용매에 소수성기를 가지는 유기물을 혼입하는 단계; 및상기 소수성기를 가지는 유기물을 상기 불화물계 형광본체에 결합시키는 용매열 합성법을 이용하여 소수성 피복층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 소수성기를 가지는 유기물은 myristic acid, trioctylphosphine, trioctylphosphine oxide, cellulose triacetate, 1-Octadecene, palmitic acid 또는 oleic acid인 것을 특징으로 하는 불화물계 형광체의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 유기용매는 비극성 유기용매인 것을 특징으로 하는 불화물계 형광체의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 유기용매는 수분이 배제된 것을 특징으로 하는 불화물계 형광체의 제조방법
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