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전이금속과 배위결합하는 리간드를 포함하는 제1 단량체를 포함하는 공중합체(copolymer)인 제1 고분자를 포함하는 제1 박막층; 및상기 제1 박막층과 접하고 투명한 제2 박막층을 포함하되,상기 제1 단량체는 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 다층 고분자 박막
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제1 항에 있어서,상기 제1 고분자는 상기 제1 단량체와 결합하는 제2 단량체를 더 포함하되, 상기 제2 단량체는 하기 화학식 3 내지 5로 표시되는 어느 하나인 다층 고분자 박막
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제3 항에 있어서,상기 전이금속은 상기 제1 박막층 내에서, 이온(ion) 상태로 존재하는 다층 고분자 박막
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제3 항에 있어서,상기 전이금속은 상기 제1 박막층 내에서 환원되는 다층 고분자 박막
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제3 항에 있어서,상기 제2 박막층은 하기 화학식 6으로 표시되는 제2 고분자를 포함하는 다층 고분자 박막
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7
전이금속과 배위결합하는 리간드를 포함하는 제1 단량체를 포함하는 공중합체(copolymer)인 제1 고분자를 포함하는 제1 박막층을 형성하는 단계; 및상기 제1 박막층과 접하고 투명한 제2 박막층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제1 단량체는 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 다층 고분자 박막의 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 제1 고분자는 상기 제1 단량체와 결합하는 제2 단량체를 더 포함하되, 상기 제2 단량체는 하기 화학식 3 내지 5로 표시되는 어느 하나인 다층 고분자 박막의 제조 방법
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10
제9 항에 있어서,상기 제2 박막층을 형성하는 단계는, 디아민계 모노머 및 디안하이드라이드계 모노머를 포함하는 제2 고분자를 상기 제1 박막층과 접하도록 적층하는 단계를 포함하는 다층 고분자 박막의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 디아민계 모노머는, 1,4-디아미노 사이클로헥산, 비스 트리플루오로메틸벤지딘, 비스 아미노하이드록시 페닐 헥사플로오로프로판, 비스 아미노페녹시 벤젠, 비스 아미노페닐 헥사플루오로 프로판, 비스 아미노페닐술폰, 비스 아미노 페녹시 페닐헥사플루오로프로판, 비스 아미노 페녹시페닐프로판 및 비스 아미노페녹시 디페닐술폰로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 다층 고분자 박막의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 디안하이드라이드계 모노머는, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드, 사이클로부탄테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 바이시클로[2
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13
제10 항에 있어서, 상기 제2 고분자는 하기 화학식 7로 표시되는 고분자인 다층 고분자 박막의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 제2 고분자를 이미드화시키는 단계를 더 포함하는 다층 고분자 박막의 제조 방법
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제13 항에 있어서,상기 화학식 7의 물질을 이미드화시켜 하기 화학식 6으로 표시되는 고분자를 형성하는 단계를 더 포함하는 다층 고분자 박막의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 제1 고분자에 포함된 상기 전이금속을 환원시키는 단계를 더 포함하는 다층 고분자 박막의 제조 방법
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제14 항 또는 제15 항에 있어서,상기 제1 고분자에 포함된 상기 전이금속을 환원시키는 단계를 더 포함하는 다층 고분자 박막의 제조 방법
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