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산화물 박막 형성 방법 및 산화물 박막 형성 장치(METHOD AND APPARATUS FOR FORMING OXIDE THIN FILM)

  • 기술번호 : KST2016017211
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 박막 형성 장치에 관한 것으로, 산화물 박막 형성 방법은, 금속 전구체와 OH 라디칼을 포함하는 반응물을 반응시켜 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/448 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01)
출원번호/일자 1020150037374 (2015.03.18)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0113356 (2016.09.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 남태욱 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0264037-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0071717-34
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0209178-53
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0208411-29
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0601376-28
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1029736-87
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1029735-31
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0109079-00
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0261577-11
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.03.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0261576-65
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0239595-18
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번호 청구항
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금속 전구체와 OH 라디칼을 포함하는 반응물을 반응시켜 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 산화물 박막을 형성하는 단계는: 상기 기판을 챔버 내에 도입하는 단계; 상기 챔버 내에 상기 금속 전구체를 공급하는 단계; 상기 챔버 내에 퍼지 가스를 공급하는 단계; 상기 챔버 내에 상기 OH 라디칼을 포함하는 반응물을 공급하는 단계; 및 상기 챔버 내에 퍼지 가스를 공급하는 단계; 가 복수 회 반복되며,상기 챔버 내에 상기 OH 라디칼을 포함하는 반응물을 공급하는 단계는, 오존과 과산화수소를 이용하여 상기 OH 라디칼을 생성하는 단계를 포함하며,상기 OH 라디칼을 생성하는 단계는,15℃ 내지 25℃의 온도로 기체 상태의 오존을 공급하는 단계;5% 내지 100% 농도의 과산화수소수로부터 기화된 상기 과산화수소를 공급하는 단계; 및상기 오존과 상기 과산화수소를 반응시켜 상기 OH 라디칼을 생성하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판 또는 실리콘 옥사이드 기판인 산화물 박막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체는 TMA(Trimethylaluminum), Tris(dimethylamino)cyclopentadienyl Zirconium, TDAMTi(Tetrakisdimethylamido Titanium), 디에틸아연(DiethylZinc), TEMAZr(Tetrakisdiethylamido Zirconium), PET(Pentaetoxy Tantalum), TDMAHf(Tetrakisdimehtylamido Hafnium) 또는 이들의 조합을 포함하는 산화물 박막 형성 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09611547 US 미국 FAMILY
2 US20160273107 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016273107 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9611547 US 미국 DOCDBFAMILY
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