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기재;상기 기재 상에 위치하는 게이트 전극;상기 기재 및 상기 게이트 전극 상에 위치하는 절연층; 상기 절연층상에 위치하는 가교된 유기 반도체층;상기 유기 반도체층상에 형성된 화학 물질을 감지하는 컨테이너 분자를 포함하는 감지층; 및 상기 유기 반도체층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서이고,상기 가교된 유기 반도체층은 가교된 하기 구조식 1로 표시되는 공중합체를 포함하는 것인 액상의 화학물질 감지용 화학 센서
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제1항에 있어서,상기 기재가 유리, 석영, 알루미나, 탄화규소, 산화마그네슘, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리스티렌(PS), 폴리이미드(PI), 폴리염화비닐(PVC), 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리에틸렌(PE), 실리콘, 게르마늄, 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 인듐안티몬(InSb), 인듐비소(InAs), 알루미늄비소(AlAs), 알루미늄안티몬(AlSb), 카드뮴텔루트(CdTe), 아연텔루트(ZnTe), 황화아연(ZnS), 셀레늄화카드뮴(CdSe), 카드뮴안티몬(CdSb) 및 인화갈륨(GaP) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서
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제1항에 있어서,상기 컨테이너 분자가 칼릭스아렌(calixarene)계 분자, 레조시놀아렌(resorcinol arene)계 분자, 피로갈롤아렌(pyrogallol arene)계 분자, 쿠커비투릴(cucurbituril)계 분자, 및 사이클로덱스트린(cyclodextrin)계 분자 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서
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제4항에 있어서,상기 컨테이너 분자가 하기 구조식 2 내지 6 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서
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제1항에 있어서,상기 기재가 플렉서블 기재인 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서
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제1항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극, 또는 게이트 전극이 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 그래핀, 탄소나노튜브 및 전도성 고분자 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서
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제1항에 있어서,상기 절연층상에 누적막(built-up film)이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서
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제10항에 있어서,상기 누적막이 하기 구조식 7로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서
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게이트 전극 및 절연층이 순차적으로 형성된 기재를 준비하는 단계(단계 a);상기 기재의 절연층상에 가교 가능한 유기 반도체층을 형성하는 단계 (단계 b);상기 가교 가능한 유기 반도체층을 가교 처리하여 가교된 유기 반도체층을 형성하는 단계(단 계 c); 상기 유기 반도체층상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계(단계 d); 및상기 가교 된 유기 반도체층상에 화학 물질을 감지하는 컨테이너 분자층을 형성하는 단계(단계 e);를포함하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서의 제조방법이고, 상기 가교 가능한 유기 반도체층은 가교된 하기 구조식 1로 표시되는 공중합체를 포함하는 것인 액상의 화학물질 감지용 화학 센서의 제조방법
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제14항에 있어서,단계 a 이후, 상기 기재상에 누적막(built-up film)을 형성하는 단계를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서의 제조방법
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제14항에 있어서,단계 b가,가교 가능한 유기 반도체와 유기용매를 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계(단계 b-1);상기 혼합용액을 교반하여 상기 가교 가능한 유기 반도체를 용해시키는 단계(단계 b-2);단계 b-2의 결과물을 필터링하여 유기 반도체가 용해된 혼합용액을 제조하는 단계(단계 b-3); 및단계 b-3의 상기 혼합용액을 상기 절연층상에 증착하여 가교 가능한 유기 반도체층을 형성하는 단계(단계 b-4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서의 제조방법
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제17항에 있어서,단계 b-4의 상기 증착이 드롭 캐스팅법, 용액 전단법, 스핀 코팅 법, 잉크젯 프린팅법 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 유기 트랜지스터 화학 센서의 제조방법
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제14항에 있어서,단계 c의 상기 가교 처리가 열처리 후, 자외선 조사 처리함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 열처리가 100 내지 200℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서의 제조방법
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제14항에 있어서,단계 d에서 소스 전극 및 드레인 전극의 형성이 진공 열증착법, 화학기상증착법, 플라즈마 여기 화학기상증착법, 저압 화학기상 증착법, 물리기상증착법, 스퍼터링법, 원자층 증착법, 전자빔 증착법, 드롭 개스팅법, 스핀 코팅법 및 잉크젯 프린팅법 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서의 제조방법
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제14항에 있어서,단계 e에서 컨테이너 분자층의 형성은 진공 열증착법, 드롭 캐스팅법, 스핀 코팅법, 화학기상증착법, 플라즈마 여기 화학기상증착법, 저압 화학기상증착법, 물리기상증착법, 및 잉크젯 프린팅법 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 액상의 화학물질 감지용 화학 센서의 제조방법
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