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기판위에 순차적으로 적층되어 형성된 N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 P형 화합물 반도체층 상에 형성된 투명전극, P전극 및 상기 N형 화합물 반도체층 상에 형성된 N전극을 더 포함하는 수평형 태양전지에 있어서,상기 투명전극은,상기 P형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 P전극에 가장 인접한 물질층까지의 각 물질층이 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 굴절률 조정부를 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 굴절률 조정부는적어도 하나 이상의 물질층을 포함하되,상기 P형 화합물 반도체층 위로 형성되는 제1 물질층부터 차례로 적층되는 제N 물질층을 포함하며(N은 3이상의 자연수),제(N-1) 물질층의 굴절률은 제(N-2) 물질층의 굴절률 이하이고, 제N 물질층의 굴절률 이상인 것을 특징으로 하고, 상기 물질층은 동일 물질을 포함하되,상기 동일 물질은 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 수평형 태양전지
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제1항에 있어서,상기 물질층은 ZnS, TiO2, ZrO2, Ta2O5, ITO, MgO, HfO2, ZnO, SnO2, In2O3, GIZO, ITZO, Al2O3, SiO2, MgF2, CaF2, LiF 및 BaF2 중 적어도 하나가 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 수평형 태양전지
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제1항에 있어서,상기 N형 화합물 반도체층 및 상기 P형 화합물 반도체층은 GaN인 것을 포함하며,상기 물질층은 상기 GaN의 굴절률과 공기의 굴절률 사이의 범위에서 차례로 적층되는 것을 특징으로 하는 수평형 태양전지
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N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 N형 화합물 반도체층 상부에 형성된 N전극 및 상기 N형 화합물 반도체와 상기 N전극 사이에 투명전극을 더 포함하는 수직형 태양전지에 있어서,상기 투명전극은,상기 N형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 N전극에 가장 인접한 물질층까지의 각 물질층이 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 굴절률 조정부를 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 굴절률 조정부는적어도 하나 이상의 물질층을 포함하되,상기 N형 화합물 반도체층 위로 형성되는 제1 물질층부터 차례로 적층되는 제N 물질층을 포함하며(N은 3이상의 자연수),제(N-1) 물질층의 굴절률은 제(N-2) 물질층의 굴절률 이하이고, 제N 물질층의 굴절률 이상인 것을 특징으로 하고, 상기 물질층은 동일 물질을 포함하되,상기 동일 물질은 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 태양전지
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제6항에 있어서,상기 물질층은 ZnS, TiO2, ZrO2, Ta2O5, ITO, MgO, HfO2, ZnO, SnO2, In2O3, GIZO, ITZO, Al2O3, SiO2, MgF2, CaF2, LiF 및 BaF2 중 적어도 하나가 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 태양전지
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제6항에 있어서,상기 N형 화합물 반도체층 및 상기 P형 화합물 반도체층은 GaN인 것을 포함하며,상기 물질층은 상기 GaN의 굴절률과 공기의 굴절률 사이의 범위에서 차례로 적층되는 것을 특징으로 하는 수직형 태양전지
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기판위에 순차적으로 적층되어 형성된 N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 P형 화합물 반도체층 상에 형성된 투명전극, P전극 및 상기 N형 화합물 반도체층 상에 형성된 N전극을 포함하는 수평형 태양전지의 증착 방법에 있어서,상기 태양전지의 P형 화합물 반도체층과 P전극 사이에 특정 굴절률을 띄는 물질층을 적층하는 단계; 및상기 물질층을 적층하는 단계를 N번 반복하는 단계(N은 1이상의 자연수)를 포함하되,상기 물질층을 적층하는 단계는직류 마그네트론 스퍼터링 공정 또는 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링 공정을 통해 이루어지는 것을 포함하고,상기 반복된 적층으로 형성된 각 물질층은, 상기 P형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 P전극에 가장 인접한 물질층까지가 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질층으로 이루어진 것을 특징으로 하며, 상기 물질층을 적층하는 단계는동일 물질이 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 가지며 증착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 태양전지의 증착 방법
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제11항에 있어서,상기 물질층을 적층하는 단계는상기 물질층의 두께 조건에 따른 빛의 흡수량을 고려하여 증착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 태양전지의 증착 방법
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N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 N형 화합물 반도체층 상부에 형성된 N전극 및 상기 N형 화합물 반도체와 상기 N전극 사이에 투명전극을 더 포함하는 수직형 태양전지의 증착 방법에 있어서,상기 태양전지의 N형 화합물 반도체층과 N전극 사이에 특정 굴절률을 띄는 물질층을 적층하는 단계; 및상기 물질층을 적층하는 단계를 L번 반복하는 단계(L은 1이상의 자연수)를 포함하되,상기 물질층을 적층하는 단계는직류 마그네트론 스퍼터링 공정 또는 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링 공정을 통해 이루어지는 것을 포함하고,상기 반복된 적층으로 형성된 각 물질층은, 상기 N형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 N전극에 가장 인접한 물질층까지가 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질층으로 이루어진 것을 특징으로 하며, 상기 물질층을 적층하는 단계는동일 물질이 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 가지며 증착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 태양전지의 증착 방법
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제14항에 있어서,상기 물질층을 적층하는 단계는상기 물질층의 두께 조건에 따른 빛의 흡수량을 고려하여 증착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 태양전지의 증착 방법
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