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복합 나노 분말이 분산된 폴리머를 포함하는, 전자파 차폐재로서,상기 복합 나노 분말은 그래핀, 및 상기 그래핀의 결정 구조에 따라 환원된 금속 산화물을 포함하는 것이며,상기 금속 산화물은 상기 그래핀에서 일정한 방향으로 직접 성장된 것이고,상기 복합 나노 분말이 분산된 폴리머에 수직으로 배열된 솔레노이드를 통해 자기장을 가해주어 외부 에너지를 인가하여 상기 폴리머 내에 상기 복합 나노 분말이 인위적으로 배열되는 것인, 전자파 차폐재
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물은 Ti, Zn, Sn, In, Al, Fe, Co, Ni, Cr, V, Ir, Ru, Mo, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 전자파 차폐재
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀은 산화 그래핀, 환원된 산화 그래핀, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 전자파 차폐재
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제 1 항에 있어서,상기 폴리머는 절연성 폴리머를 포함하는 것인, 전자파 차폐재
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제 1 항에 있어서,상기 전자파 차폐재는 30 MHz 내지 600 MHz인 주파수의 전자파를 차폐하는 것인, 전자파 차폐재
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그래핀 상에서 금속 산화물을 성장시켜 복합 나노 분말을 형성하고; 및,상기 복합 나노 분말을 폴리머에 분산시키는 것을 포함하는, 전자파 차폐재의 제조 방법으로서,상기 금속 산화물은 상기 그래핀에서 일정한 방향으로 직접 성장되는 것이고,상기 복합 나노 분말이 분산된 폴리머에 수직으로 배열된 솔레노이드를 통해 자기장을 가해주어 외부 에너지를 인가하여 상기 폴리머 내에 상기 복합 나노 분말이 인위적으로 배열되는 것인, 전자파 차폐재의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속 산화물은 Ti, Zn, Sn, In, Al, Fe, Co, Ni, Cr, V, Ir, Ru, Mo, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 전자파 차폐재의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 그래핀은 산화 그래핀을 포함하는 것인, 전자파 차폐재의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 폴리머는 절연성 폴리머를 포함하는 것인, 전자파 차폐재의 제조 방법
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