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이미지센서 및 이의 제조방법(Image sensor and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2016017439
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 형성된 소스전극 및 드레인전극과; 상기 소스전극 및 드레인전극과 접촉하는 산화물반도체층과; 상기 산화물반도체층 상에 형성된 제1절연막과; 상기 제1절연막 상에 형성된 게이트전극과; 상기 드레인전극과 연결되는 포토다이오드를 포함하고, 상기 산화물반도체층은, 상기 게이트전극에 의해 가려지는 자외선 비조사 부분과, 상기 게이트전극에 의해 가려지지 않는 자외선 조사 부분으로 구성된 이미지센서를 제공한다.
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01)
출원번호/일자 1020150040680 (2015.03.24)
출원인 주식회사 레이언스, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0114767 (2016.10.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 레이언스 대한민국 경기도 화성시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김명호 대한민국 인천광역시 서구
2 전승익 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 최덕균 대한민국 서울특별시 광진구
4 최형석 대한민국 충청북도 진천군
5 장한빈 대한민국 경기도 화성시 삼

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0286902-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 소스전극 및 드레인전극과;상기 소스전극 및 드레인전극과 접촉하는 산화물반도체층과;상기 산화물반도체층 상에 형성된 제1절연막과;상기 제1절연막 상에 형성된 게이트전극과; 상기 드레인전극과 연결되는 포토다이오드를 포함하고, 상기 산화물반도체층은, 상기 게이트전극에 의해 가려지는 자외선 비조사 부분과, 상기 게이트전극에 의해 가려지지 않는 자외선 조사 부분으로 구성된이미지센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 포토다이오드는, 상기 드레인전극으로부터 연장된 제1전극과, 상기 제1전극 상에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 상에 형성된 제2전극을 포함하고,상기 제1절연막은 상기 제2전극 상에 위치하는이미지센서
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 게이트전극 및 제1절연막 상에 위치하고, 상기 제1절연막과 함께 상기 소스전극을 노출하는 제1콘택홀과 상기 제2전극을 노출하는 제2콘택홀을 포함하는 제2절연막과;상기 제2절연막 상에, 상기 제1콘택홀을 통해 상기 소스전극과 연결되는 독출배선과, 상기 제2콘택홀을 통해 상기 제2전극과 연결되는 바이어스전극을 포함하는이미지센서
4 4
기판 상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와;상기 소스전극 및 드레인전극과 접촉하며, 제1부분 및 제2부분으로 구성된 산화물반도체층을 형성하는 단계와;상기 산화물반도체층 상에 제1절연막을 형성하는 단계와;상기 제1절연막 상에, 상기 제1부분을 가리고 상기 제2부분을 가리지 않는 게이트전극을 형성하는 단계와;상기 게이트전극을 자외선 차단 마스크로 사용하여 자외선 조사를 수행하는 단계를 포함하고,상기 드레인전극은 포토다이오드와 연결되는이미지센서 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제1절연막을 형성한 후에, 열처리를 통해 상기 산화물반도체층을 어닐링하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 게이트전극을 형성하는 식각 마스크인 포토레지스트패턴이 상기 게이트전극 상에 위치한 상태에서, 상기 자외선 조사를 수행하는이미지센서 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP28181667 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2016181667 JP 일본 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부,산업통상자원부 한양대학교 나노융합2020사업 나노형태 형광체, 산화물 박막트랜지스터 기반의 초저선량 엑스선 의료영상 검출기