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투명 전도성 물질층/고전도성 물질층/투명 보호층으로 이루어진 3층막 구조의 개구부를 갖는 메쉬 구조의 투명전극 소재를 제조하는 방법으로서,1) 투과성 베이스 부재의 일면에 투명 전도성 물질층을 형성하는 단계;2) 상기 투명 전도성 물질층 상면에 고전도성 물질층을 형성하는 단계;3) 상기 고전도성 물질층 상면에 투명 보호층을 형성하는 단계;4) 상기 투명 전도성 물질층, 고전도성 물질층 및 투명 보호층을 일정한 메쉬 형태의 패턴으로 30% ~ 80% 범위의 개구율을 갖도록 다수 개의 개구부가 형성되도록 식각하는 단계;를 포함하는 투명전극 소재를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 물질층은, 고전도성 물질층 또는 투명 보호층은,스퍼터링(sputtering)방법, 열증발법(Termal evaporation) 또는 화학적 코팅법 중 어느 하나의 공정으로 형성됨을 특징으로 하는 투명전극 소재를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 4) 단계에서는,상기 투명 전도성 물질층, 고전도성 물질층 및 투명 보호층 중 개구부 부분을 레이저를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 투명전극 소재를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 4) 단계에서는,상기 투명 전도성 물질층, 고전도성 물질층 및 투명 보호층 중 개구부 부분를 포토리소그래피(Photolithography) 공정으로 식각하여 제거하는 것을 특징으로 하는 투명전극 소재를 제조하는 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 의해 제조되어 투명 전도성 물질층/고전도성 물질층/투명 보호층으로 이루어진 3층막 구조의 개구부를 갖는 메쉬 구조의 투명전극 소재
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제5항에 있어서, 상기 투과성 베이스 부재는, 유리 또는 PET 필름인 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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제5항에 있어서, 상기 투명 전도성 물질층은,인듐주석산화물(ITO: Indium Oxide), 안티몬주석산화물(ATO: Antimony Tin Oxide), 아연산화물(ZnO), 주석산화물(SnO2), 인듐아연산화물(IZO: Indium Zinc Oxide), 갈륨아연산화물(GZO: Gallium Zinc Oxide), 알루미늄아연산화물(AZO: Aluminium-dopped Zinc Oxide), 카드뮴주석산화물(CTO: Cadmium Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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제5항에 있어서, 상기 고전도성 물질층은,금, 은, 구리, 알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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제5항에 있어서, 상기 투명 보호층은,인듐주석산화물(ITO: Indium Oxide), 안티몬주석산화물(ATO: Antimony Tin Oxide), 아연산화물(ZnO), 주석산화물(SnO2), 인듐아연산화물(IZO: Indium Zinc Oxide), 갈륨아연산화물(GZO: Gallium Zinc Oxide), 알루미늄아연산화물(AZO: Aluminium-dopped Zinc Oxide), 카드뮴주석산화물(CTO: Cadmium Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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제5항에 있어서, 상기 고전도성 물질층은,2nm ~ 10nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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제5항에 있어서, 상기 고전도성 물질층은,1㎛ ~ 1
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제5항에 있어서, 상기 고전도성 물질층의 종횡비는 0
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제5항에 있어서, 메쉬 개구율의 하한값은 50% 이상인 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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