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투과성 베이스 부재와;상기 투과성 베이스 부재의 일면에 메쉬 형태의 패턴으로 다수 개의 개구부가 형성되도록 증착되되, 상기 메쉬의 개구율은 30% ~ 80% 인 투명 전도성 물질층과;상기 투명 전도성 물질층 상부에 형성되는 고전도성 물질층과;상기 고전도성 물질층 상부에 형성되어 상기 고전도성 물질층을 보호하는 투명 보호층;을 포함하는 투명전극 소재
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제1항에 있어서, 상기 투과성 베이스 부재는, 유리 또는 PET 필름인 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 물질층은,인듐주석산화물(ITO: Indium Oxide), 안티몬주석산화물(ATO: Antimony Tin Oxide), 아연산화물(ZnO), 주석산화물(SnO2), 인듐아연산화물(IZO: Indium Zinc Oxide), 갈륨아연산화물(GZO: Gallium Zinc Oxide), 알루미늄아연산화물(AZO: Aluminium-dopped Zinc Oxide), 카드뮴주석산화물(CTO: Cadmium Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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제1항에 있어서, 상기 고전도성 물질층은,금, 은, 구리, 알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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제1항에 있어서, 상기 투명 보호층은,인듐주석산화물(ITO: Indium Oxide), 안티몬주석산화물(ATO: Antimony Tin Oxide), 아연산화물(ZnO), 주석산화물(SnO2), 인듐아연산화물(IZO: Indium Zinc Oxide), 갈륨아연산화물(GZO: Gallium Zinc Oxide), 알루미늄아연산화물(AZO: Aluminium-dopped Zinc Oxide), 카드뮴주석산화물(CTO: Cadmium Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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제1항에 있어서, 상기 고전도성 물질층은,2nm ~ 10nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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제1항에 있어서, 상기 고전도성 물질층은,1㎛ ~ 1
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제1항에 있어서, 상기 고전도성 물질층의 종횡비는 0
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제1항에 있어서, 메쉬 개구율의 하한값은 50% 이상인 것을 특징으로 하는 투명전극 소재
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