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유연 기판소자의 제조방법(Method of fabricating flexible substrate device)

  • 기술번호 : KST2016017501
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따라 유연 기판소자를 제공한다. 유연 기판 소자는 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하고, 상기 희생층 상에 유연 기판소자를 형성하고, 상기 유연 기판소자가 형성된 상기 캐리어 기판을 희석된 산화물 식각제(Buffered Oxide Etchant)에 침전시켜 상기 희생층과 상기 캐리어 기판을 상기 유연 기판소자로부터 제거하는 것을 포함하고, 상기 희생층은 수소 함유 실리콘 질화물을 포함한다.
Int. CL H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020160018604 (2016.02.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1988889-0000 (2019.06.07)
공개번호/일자 10-2016-0116295 (2016.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20190614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150042669   |   2015.03.26
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성행 대한민국 충북 청원군
2 양종헌 대한민국 대전시 유성 은구
3 황치선 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0158472-97
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-1292097-12
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1292074-62
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0165664-36
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0360222-08
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0360223-43
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0627473-26
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-1113749-43
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1113750-90
10 등록결정서
Decision to grant
2019.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0174190-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 것;상기 희생층 상에 유연 기판소자를 형성하는 것; 및 상기 유연 기판소자가 형성된 상기 캐리어 기판을 희석된 산화물 식각제(Buffered Oxide Etchant)에 침전시켜 상기 희생층과 상기 캐리어 기판을 상기 유연 기판소자로부터 제거하는 것을 포함하고,상기 희생층은 수소 함유 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 희생층의 수소 함량은 10 at
2 2
제 1항에 있어서, 상기 희생층을 형성하는 것은: 실레인(SiH4) 가스, 암모니아(NH3) 가스, 및 질소(N2) 가스를 사용한 증착 공정을 수행하는 것을 포함하는 기판소자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 유연 기판소자를 형성하는 것은: 상기 희생층 상에 유연 기판을 형성하는 것;상기 유연 기판 상에 전자소자를 형성하는 것; 및 상기 유연 기판 상에 보호층을 형성하여, 상기 전자소자를 덮는 것을 포함하는 기판소자의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 유연 기판 및 상기 전자소자 사이에 배리어막을 형성하는 것을 더 포함하는 기판소자의 제조방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 유연 기판은 0
6 6
제 3항에 있어서, 상기 희석된 산화물 식각제는 상기 보호층에 대해서 낮은 식각률을 갖는 기판소자의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서,상기 희생층은 0
9 9
삭제
10 10
캐리어 기판 상에 실레인(SiH4) 가스, 암모니아(NH3) 가스, 및 질소(N2) 가스를 사용한 증착 공정을 수행하여, 10 at
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 ㈜AVACO 산업원천기술개발사업 폭 1500nm 플렉서블 기판에 산화물 박막 트랜지스터 증착을 위한 스퍼터 장비 실용화 기술 개발