| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 배치되는 드리프트층, 상기 드리프트층은 활성영역(active region) 및 상기 활성영역 외각에 위치하는 주변영역(periphery)을 포함하고;상기 활성영역 및 상기 주변영역의 경계 상에 배치되는 접합 마감층(junction termination layer);상기 활성영역의 일부 및 상기 접합 마감층의 일부를 덮는 제 1 금속층; 및상기 제 1 금속층 및 상기 활성영역을 덮는 제 2 금속층을 포함하되,상기 제 1 금속층 및 상기 제 2 금속층은 상기 드리프트층과 접촉하여 쇼트키(schottky) 접합을 형성하고,상기 제 1 금속층은 상기 제 2 금속층보다 더 높은 쇼트키 전위 장벽(schottky barrier height)을 갖는 쇼트키 다이오드
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 기판, 상기 드리프트층 및 상기 접합 마감층은 실리콘 카바이드(SiC)를 포함하는 쇼트키 다이오드
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 활성영역 상에 상호 이격되어 배치되는 복수의 도전층들을 포함하되,상기 제 2 금속층은 상기 제 1 금속층, 상기 활성영역 및 상기 도전층들을 덮는 쇼트키 다이오드
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 도전층들은 상기 드리프트층과 다른 도전형을 갖는 쇼트키 다이오드
|
| 5 |
5
제 3 항에 있어서,상기 도전층들은 제 1 부분 및 상기 제 1 부분 상에 배치되는 제 2 부분을 포함하되,상기 제 2 부분은 상기 제 1 부분보다 도펀트 농도가 더 높은 쇼트키 다이오드
|
| 6 |
6
제 3 항에 있어서,상기 도전층들 및 상기 활성영역의 일부를 덮는 제 3 금속층을 더 포함하되,상기 제 2 금속층은 상기 제 1 금속층, 상기 활성영역 및 상기 제 3 금속층을 덮는 쇼트키 다이오드
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 제 3 금속층은 상기 제 1 금속층을 구성하는 물질과 동일한 물질을 포함하는 쇼트키 다이오드
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 접합 마감층은 상기 드리프트층과 다른 도전형을 갖는 쇼트키 다이오드
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 접합 마감층은 제 1 접합 마감층 및 상기 제 1 접합 마감층 상에 배치되는 제 2 접합 마감층을 포함하되,상기 제 2 접합 마감층은 상기 제 1 접합 마감층보다 도펀트 농도가 더 높은 쇼트키 다이오드
|
| 10 |
10
기판;상기 기판 상에 배치되는 드리프트층, 상기 드리프트층은 상기 기판 방향으로 연장되는 트렌치들을 갖는 활성영역(active region) 및 상기 활성영역 외각에 위치하는 주변영역(periphery)을 포함하고;상기 활성영역 및 상기 주변영역의 경계 상에 배치되는 접합 마감층(junction termination layer);상기 활성영역의 일부 및 상기 접합 마감층의 일부를 덮는 제 1 금속층; 및상기 드리프트층의 상면 및 상기 제 1 금속층과 접하고, 상호 이격되어 배치되는 복수의 제 2 금속층을 포함하되,상기 제 1 금속층 및 상기 제 2 금속층은 상기 드리프트층과 접촉하여 쇼트키(schottky) 접합을 형성하고,상기 제 1 금속층은 상기 제 2 금속층보다 더 높은 쇼트키 전위 장벽(schottky barrier height)을 갖는 쇼트키 다이오드
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 상기 접합 마감층, 상기 활성영역 및 제 2 금속층의 표면 형상(surface morphology)를 따라 도포되는 쇼트키 다이오드
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서,상기 드리프트층의 상면 및 상기 제 1 금속층과 접하는 도전층들을 더 포함하되,상기 도전층들은 상기 제 2 금속층들 사이에 배치되는 쇼트키 다이오드
|
| 13 |
13
제 10 항에 있어서,상기 트렌치들의 측벽은 상기 트렌치들의 바닥면에 대하여 50 내지 90도의 경사를 갖는 쇼트키 다이오드
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 도전층들은 상기 드리프트층과 다른 도전형을 갖는 쇼트키 다이오드
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 도전층들은 제 1 부분 및 상기 제 1 부분 상에 배치되는 제 2 부분을 포함하되,상기 제 2 부분은 상기 제 1 부분보다 도펀트 농도가 더 높은 쇼트키 다이오드
|
