| 1 |
1
치밀 구조 복합체층 및 다공성 전극 활성층을 포함하고,상기 치밀 구조 복합체층은 전자 전도 상과 이온 전도 상이 2:8 내지 3:7의 부피비로 혼합된 두께 20 내지 300㎛의 복합물이고,상기 전자 전도 상은 란타늄 스트론튬 망가나이트(LSM)이고, 상기 이온 전도 상은 가돌리늄 주입된 세리아(GDC)이며,상기 다공성 전극 활성층은 상기 복합체층 양면에 대칭 또는 비대칭 형태로 도포되고,상기 다공성 전극활성층은 다공성 전자전도성 금속산화물, 다공성 서멧(Cermet), 다공성 금속 및 상기 전자전도성 금속산화물과 이온전도성 전해질 재료의 복합체 중에서 선택되고,상기 전자전도성 금속산화물은, 스트론튬 타이타늄 페라이트(Strontium titanium ferrite, STF), 란타늄 스트론튬 페라이트(Lanthanum strontium ferrite, LSF), 란타늄 스트론튬 망가나이트(Lanthanum strontium Manganite, LSM), 란타늄 스트론튬 코발타이트(Lanthanum strontium Cobatite, LSC), 란타늄 스트론튬 크로마이트(Lanthanum strontium Chromite, LSCr), 란타늄 스트론튬 코발트 페라이트(Lanthanum strontium cobalt ferrite, LSCF), 망간 페라이트(MnFe2O4), 및 니켈 페라이트(NiFe2O4)중에서 선택되는 하나 이상인, 고투과성 복합체 산소 분리막
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 서멧은 니켈, 니켈 합금, 및 철계 합금 중에서 선택된 하나와 이온전도성 전해질 재료의 복합체이고,상기 이온전도성 전해질 재료는 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 가돌리늄 주입 세리아(Gd doped-ceria, GDC), 사마리움 주입 세리아 (Sm doped-Ceria), 란타늄 갈레이트(Lanthanum gallates), SrCeO3, BaCeO3, BaZrO3, CaZrO3, SrZrO3, La2Zr2O7, 및 La2Ce2O7 중에서 선택되는 하나 이상인,고투과성 복합체 산소 분리막
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 다공성 금속은 니켈 또는 인코넬인,고투과성 복합체 산소 분리막
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 전자전도성 금속산화물과 이온전도성 전해질 재료의 복합체에서 상기 복합체의 이온전도성 전해질 재료의 부피비는 20 내지 80%이며, 이온 전도성 전해질 재료는 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 가돌리늄 주입 세리아(Gd doped-ceria, GDC), 사마리움 주입 세리아 (Sm doped-Ceria), 란타늄 갈레이트(Lanthanum gallates), SrCeO3, BaCeO3, BaZrO3, CaZrO3, SrZrO3, La2Zr2O7, 및 La2Ce2O7 중에서 선택되는 하나 이상인, 고투과성 복합체 산소 분리막
|
| 7 |
7
테이프 캐스팅(Tape casting) 공정을 이용하여 란타늄 스트론튬 망가나이트(LSM) 및 가돌리늄 주입된 세리아(GDC)를 2:8 내지 3:7의 부피비로 포함하고, 두께가 50 내지 300㎛인 복합체층을 제조하는 단계;상기 제조된 복합체층의 치밀화를 위해 상기 복합체층을 1200℃ 내지 1400℃에서 소결하는 단계; 및상기 복합체층의 양면에 다공성 전극활성층을 코팅하는 단계를 포함하는,고투과성 복합체 산소 분리막 제조방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제 7 항에 있어서, 상기 다공성 전극활성층은 다공성 전자전도성 금속산화물, 다공성 서멧(Cermet), 및 다공성 금속 및 상기 전자전도성 금속산화물과 이온전도성 전해질 재료의 복합체 중에서 선택되고,상기 전자전도성 금속산화물은, 스트론튬 타이타늄 페라이트(Strontium titanium ferrite, STF), 란타늄 스트론튬 페라이트(Lanthanum strontium ferrite, LSF), 란타늄 스트론튬 망가나이트(Lanthanum strontium Manganite, LSM), 란타늄 스트론튬 코발타이트(Lanthanum strontium Cobatite, LSC), 란타늄 스트론튬 크로마이트(Lanthanum strontium Chromite, LSCr), 란타늄 스트론튬 코발트 페라이트(Lanthanum strontium cobalt ferrite, LSCF), 망간 페라이트(MnFe2O4), 및 니켈 페라이트(NiFe2O4)중에서 선택되는 하나 이상인,고투과성 복합체 산소 분리막 제조방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서, 상기 서멧은 니켈, 니켈 합금, 및 철계 합금 중에서 선택된 하나와 이온전도성 전해질 재료의 복합체이고,상기 이온전도성 전해질 재료는 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 가돌리늄 주입 세리아(Gd doped-ceria, GDC), 사마리움 주입 세리아 (Sm doped-Ceria), 란타늄 갈레이트(Lanthanum gallates), SrCeO3, BaCeO3, BaZrO3, CaZrO3, SrZrO3, La2Zr2O7, 및 La2Ce2O7 중에서 선택되는 하나 이상인,고투과성 복합체 산소 분리막 제조방법
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서,상기 전자전도성 금속산화물과 이온전도성 전해질 재료의 복합체에서 상기 복합체의 이온전도성 전해질 재료의 부피비는 20 내지 80%이며, 상기 재료는 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 가돌리늄 주입 세리아(Gd doped-ceria, GDC), 사마리움 주입 세리아 (Sm doped-Ceria), 란타늄 갈레이트(Lanthanum gallates), SrCeO3, BaCeO3, BaZrO3, CaZrO3, SrZrO3, La2Zr2O7, 및 La2Ce2O7 중에서 선택되는 하나 이상인, 고투과성 복합체 산소 분리막 제조방법
|
| 13 |
13
제 10 항에 있어서,상기 다공성 금속은 니켈 또는 인코넬인,고투과성 복합체 산소 분리막 제조방법
|
