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아조벤젠 결합 PVDF필름을 이용하는 트랜지스터 및 그 제조방법(Transistor using PVDF film bonded with azobenzene and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2016017707
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 아조벤젠 결합 PVDF필름을 이용하는 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일예와 관련된 MFMIS형 전계효과 트랜지스터는 소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과, 상기 채널영역상에 형성되는 절연층, 상기 절연층 상측에 형성되는 하부전극층, 상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 포함하여 구성되고, 상기 하부 전극층이 데이터 전극, 상부 전극층이 접지 전극으로 설정되며, 상기 강유전체층의 분극값에 의해 상기 소오스 및 드레인간의 도통상태가 설정되고, 상기 강유전체층은 아조벤젠 및 PVDF가 결합된 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름일 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 29/66 (2006.01)
CPC H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01)
출원번호/일자 1020150044571 (2015.03.30)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0116604 (2016.10.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.30)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0311623-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0007853-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0223250-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0501557-26
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0501549-61
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0659740-37
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0914311-88
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0914312-23
10 등록결정서
Decision to grant
2016.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0819547-30
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
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번호 청구항
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MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법을 수행하기 위하여 디지털 처리 장치에 의해 실행될 수 있는 명령어들의 프로그램이 유형적으로 구현되어 있고, 상기 디지털 처리 장치에 의해 판독될 수 있는 기록매체에 있어서,상기 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법은,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계;상기 채널영역 상측에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 데이터 전극층을 형성하는 단계;상기 데이터 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계; 및상기 강유전체층 상에 접지 전극층을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 강유전체층 형성단계는,PVDF와 아조벤젠을 중합하여 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액을 제조하는 제 1 단계;상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액을 기판 상에 도포하는 제 2 단계;상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액의 용매를 증발시켜 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름을 형성하는 제 3 단계; 및상기 기판을 상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름으로부터 분리하는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기록매체
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전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계;,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계;상기 채널영역 상측에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 데이터 전극층을 형성하는 단계;상기 데이터 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계; 및상기 강유전체층 상에 접지 전극층을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 강유전체층 형성단계는,PVDF와 아조벤젠을 중합하여 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액을 제조하는 제 1 단계;상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액을 기판 상에 도포하는 제 2 단계;상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액의 용매를 증발시켜 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름을 형성하는 제 3 단계; 및상기 기판을 상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름으로부터 분리하는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 13항에 있어서,제 1 단계는,PVDF 용액과 아조벤젠 용액을 혼합하는 방법, PVDF 용액에 아조벤젠을 분산시키는 방법 및 아조벤젠 용액에 PVDF를 분산시키는 방법 중 어느 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 PVDF 용액의 용매는 MIBK (methyl isobutyl ketone), MEK (methyl ethyl ketone),NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone), DMF (dimethylformamide) 및 DME(dimethyl ether) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 아조벤젠 용액의 용매는, 극성 용매인 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 16 항에 있어서,상기 아조벤젠 용액의 용매는, 에틸아세테이트, THF(Tetrahydrofuran), 부틸 알콜(butyl alcohol), IPA(isopropyl antipyrine), 아세톤(acetone) 및 아세토니트릴(acetonitrile) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 단계는,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액에 탄소나노튜브(CNT)를 분산시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액에 대하여 0
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 단계는,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액에 메탈 파티클을 분산시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 단계 후,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액에 가시광선을 조사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서,제 2 단계에서,어플리케이터를 사용하는 방법, 바코터를 사용하는 방법 및 스핀 코팅 방법 중 적어도 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 기판은 친수성 코팅 처리된 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 23 항에 있어서,상기 기판은 유리 또는 폴리머로 이루어진 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 3 단계에서,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액 위로 기체의 유동을 만들어 상기 용매의 균일한 휘발을 유도하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 25 항에 있어서,상기 기체는 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 3 단계 후,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름에 지지막을 접합하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 27 항에 있어서,상기 지지막은 실리콘 일래스토머(silicone elastomer) 및 PDMS(polydimethylsiloxane) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 28 항에 있어서,상기 지지막은 PET(polyethylene terephthalate) 필름 상에 실리콘 일래스토머(silicone elastomer) 및 PDMS(polydimethylsiloxane) 중 적어도 하나를 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 4 단계 전,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름과 상기 기판 사이의 접착력을 약화시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 30 항에 있어서,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름과 상기 기판 사이의 접착력을 약화시키는 단계에서,상기 기판과 상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름에 습윤 환경을 제공하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 31 항에 있어서,상기 습윤 환경은 물, 증류수(distilled water), 탈이온수(deionized water) 또는 IPA(isopropyl alcohol)을 사용하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 4 단계 후,풀림(annealing) 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 4 단계 후,폴링(electrical poling) 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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