맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

자기이온영동 성능을 가지는 콜로이드, 이의 제조방법 및 이를 함유한 화장료 조성물(COLLOID WITH SELF-IONTOPHORESIS,MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND COSMETIC COMPOSITION CONTAINING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016017729
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 엘라스토머 마이크로 입자 및 이를 둘러싼 압전층을 포함하는 자기이온영동(self-iontophoresis) 성능을 가지는 콜로이드, 이의 제조방법 및 이를 함유한 화장료 조성물을 제공한다. 본 발명에 따르면 별도의 기기의 도움 없이 그 자체로서 이온영동이 발생하여 화장료 조성물 내의 수용성 유효성분을 효과적으로 경피에 전달 및 흡수시킬 수 있다.
Int. CL A61K 8/02 (2006.01.01) A61K 8/87 (2006.01.01) A61K 8/72 (2006.01.01) A61Q 19/00 (2006.01.01)
CPC A61K 8/0241(2013.01) A61K 8/0241(2013.01) A61K 8/0241(2013.01) A61K 8/0241(2013.01) A61K 8/0241(2013.01)
출원번호/일자 1020150045037 (2015.03.31)
출원인 (주)아모레퍼시픽, 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0116790 (2016.10.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 무효
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.01.21)
심사청구항수 22

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (주)아모레퍼시픽 대한민국 서울특별시 용산구
2 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임형준 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김용진 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 이존환 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 김진웅 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 김지은 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0314518-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056011-80
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.06 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127488-87
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208262-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2017-5209451-34
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.01.06 무효 (Invalidation) 1-1-2020-0009513-48
7 보정요구서
Request for Amendment		 2020.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0011143-44
8 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2020.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0067759-11
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0067608-25
10 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2020.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0013751-30
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154791-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
엘라스토머 마이크로 입자 및 이를 둘러싼 압전층을 포함하는 자기이온영동(self-iontophoresis) 성능을 가지는 콜로이드
2 2
제 1항에 있어서,상기 엘라스토머 마이크로 입자는 폴리우레탄, 실리콘검, 아크릴 고분자 가교체 및 천연고무로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 콜로이드
3 3
제 1항에 있어서,상기 압전층은 압전성 고분자를 포함하는 것인 콜로이드
4 4
제 1항에 있어서,상기 압전층은 전하층, 압전성 고분자층 및 고분자 전해질층을 포함하는 것인 콜로이드
5 5
제 3항에 있어서,상기 압전성 고분자는 폴리비닐리덴 플루오라이드 및 폴리(비닐리덴플루오라이드-트리플루오로에틸렌) 공중합체 중 하나 이상인 콜로이드
6 6
제 4항에 있어서,상기 전하층은 n-도데실피리디늄클로라이드, 리니어디아민, 리니어알킬아민, 세틸트리메틸암모늄브로마이드, 염화벤잘코늄, 염화벤제토늄, 염화세트리모늄, 염화알킬트리메틸암모늄, 염화디알킬디메틸암모늄, 이미다졸, 글리세라이드황산염, 도데실벤젠술폰산염, 리그로술폰산염, 사르코사이드
7 7
제 4항에 있어서,상기 고분자 전해질층은 디에틸아미노에틸메타크릴레이트, 디에틸아미노에틸아크릴레이트, 폴리비닐피리딘계, 폴리아크릴아마이드, 폴리에틸렌이민, 카복시메틸셀룰로오스, 폴리글루타믹산, 폴리비닐아민, 폴리소듐스타이렌술폰산염 및 폴리아크릴산으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인 콜로이드
8 8
제 1항에 있어서,상기 엘라스토머 마이크로 입자의 직경은 10 내지 50㎛인 콜로이드
9 9
제 3항에 있어서,상기 압전성 고분자는 10 내지 800nm의 직경을 가지는 나노 입자인 콜로이드
10 10
제 1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 콜로이드의 제조방법에 있어서,엘라스토머 마이크로 입자를 형성하는 단계; 및 상기 엘라스토머 마이크로 입자를 압전층으로 코팅하여 압전성 엘라스토머 마이크로 입자를 형성하는 단계를 포함하는 콜로이드의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서,상기 형성된 엘라스토머 마이크로 입자의 표면을 음이온으로 대전시키기 위하여 이오노머(ionomer)를 첨가하는 단계를 더 포함하는 것인 콜로이드의 제조방법
12 12
제 10항에 있어서,상기 엘라스토머 마이크로 입자를 형성하는 단계는 엘라스토머 전구체 및 광개시제를 포함하는 용액으로부터 에멀젼 액적을 제조하는 단계;상기 에멀젼 액적에서 용매를 제거하는 단계; 및상기 용매가 제거된 에멀젼 액적을 광중합시켜 엘라스토머 마이크로 입자를 형성하는 단계;를 포함하는 것인 콜로이드의 제조방법
13 13
제 12항에 있어서,상기 에멀젼 액적을 제조하는 단계는 미세유체(microfludics) 방법을 이용하는 것인 제조방법
14 14
제 12항에 있어서,상기 용매를 제거하는 단계는 용매를 감압증발시키는 것인 제조방법
15 15
제 10항에 있어서,상기 엘라스토머 마이크로 입자를 압전층으로 코팅하여 압전성 엘라스토머 마이크로 입자를 형성하는 단계는상기 엘라스토머 마이크로 입자를 전하층으로 코팅하는 단계; 및상기 전하층 상에 압전성 고분자층을 코팅하는 단계;를 포함하는 것인 제조방법
16 16
제 15항에 있어서,상기 제조방법은 상기 압전성 고분자층 상에 고분자 전해질층을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것인 제조방법
17 17
제 15항에 있어서,상기 압전성 고분자층을 코팅하는 단계는 계면활성제 수용액에 압전성 고분자 극성용액을 침전시켜 형성된 압전성 고분자 나노입자를 사용하는 것인 제조방법
18 18
제 17항에 있어서,상기 압전성 고분자 나노입자는 10 내지 800nm의 직경을 가지는 것인 제조방법
19 19
제 17항에 있어서,상기 압전성 고분자 나노입자는 표면 대전이 10 내지 60mV인 것인 제조방법
20 20
제 1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 콜로이드를 포함하는 자기이온영동 경피흡수용 화장료 조성물
21 21
제 20항에 있어서,상기 화장료 조성물은 수용성 유효성분을 포함하는 것인 화장료 조성물
22 22
제 20항에 있어서,상기 화장료 조성물은 별도의 기기 없이 피부상에서 전류를 생성하여 자기이온영동(self-iontophoresis)을 하는 것인 화장료 조성물
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN107683129 CN 중국 FAMILY
2 EP03278788 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP03278788 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP06722692 JP 일본 FAMILY
5 JP30512489 JP 일본 FAMILY
6 US10470996 US 미국 FAMILY
7 US20180110715 US 미국 FAMILY
8 WO2016159606 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN107683129 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP3278788 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP3278788 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP3278788 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2018512489 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP6722692 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US10470996 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US2018110715 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2016159606 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.