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기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을 구비하는 저항변화층(resistive switching layer)을 형성하는 단계; 및상기 저항변화층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 저항변화층을 형성하는 단계는, 하기 화학식 1로 표시되는 키토산(chitosan)을 포함하는 상기 고체폴리머전해질에 은(Ag) 원자를 도핑하는 단계를 포함하며,상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극 중 어느 하나에 전압을 인가하는 경우, 상기 저항변화층에 전도성 필라멘트(conductive filament)가 균일하게 형성되는,저항변화메모리의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 키토산은 하기 화학식 2로 표시되는 키틴(chitin)을 탈 아세틸화(de-acetylation)함으로써 형성되는, 저항변화메모리의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 키토산은 아세트산(acetic acid) 용액 및 증류수를 이용함으로써 상기 키토산을 용해시켜 키토산 용액을 형성하고, 상기 키토산 용액에 질산은(AgNo3) 파우더를 혼합함으로써 상기 키토산의 적어도 일부가 은(Ag) 이온으로 도핑되는, 저항변화메모리의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 키토산 용액을 상기 제 1 전극 상에 드롭-캐스팅(drop-casting) 방법으로 코팅(coating)한 후 건조하는, 저항변화메모리의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 이전에상기 기판 상에 접착층(adhesion layer)을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 저항변화메모리의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 기판 상에 접착층을 형성하는 단계;는전자빔증발증착(E-beam evaporation) 방법을 이용하여 상기 기판 상에 티타늄(Ti)을 증착하는 단계;를 포함하는, 저항변화메모리의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 기판 및 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;는상기 접착층 상에 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 백금(Pt)을 증착하는 단계;를 포함하는, 저항변화메모리의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 저항변화층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;는상기 저항변화층 상에 열증발증착(thermal evaportion) 방법으로 은(Ag)을 증착하는 단계;를 포함하는, 저항변화메모리의 제조방법
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기판;상기 기판 상에 형성된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성되고, 고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을 구비하는 저항변화층(resistive switching layer); 및상기 저항변화층 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하고,상기 저항변화층은 하기 화학식 1로 표시되는 키토산(chitosan)을 포함하는 상기 고체폴리머전해질에 은(Ag) 원자를 도핑함으로써 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극 중 어느 하나에 전압을 인가하는 경우, 상기 저항변화층에 전도성 필라멘트(conductive filament)가 균일하게 형성되는,저항변화메모리
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제 10 항에 있어서,상기 키토산은 자연상태(natural state)에서 절연체(insulator) 특성을 가지며, 상기 키토산에 은(Ag) 원자가 도핑됨으로써 저항변화 기능을 수행할 수 있는, 저항변화메모리
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기판;상기 기판 상에 형성된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 접착층(adhesion layer);상기 접착층 상에 형성된 하기 화학식 3으로 표시되는 은(Ag)이 도핑된 키토산(Chitosan); 및상기 은(Ag)이 도핑된 키토산(chitosan) 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하고,상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극 중 어느 하나에 전압을 인가하는 경우, 상기 키토산에 전도성 필라멘트(conductive filament)가 균일하게 형성되는,저항변화메모리
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