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최상부 및 최하부의 하우징;상기 하우징 사이에 위치하는 2개 이상의 평관형 고체 산화물 셀스택; 및상기 하우징과 상기 평관형 고체 산화물 셀스택 사이 및 상기 2개 이상의 평관형 고체 산화물 셀스택들의 각 사이에 개제된 마이카 절연층;을 포함하고,상기 하우징에 제 1 가스유입부, 제 1가스유출부 및 제 2가스 유입부가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 대용량 평관형 고체산화물 셀스택으로,상기 평관형 고체 산화물 셀스택은최상부 및 최하부의 단자를 포함하는 집전체;상기 집전체 사이에 1개 이상의 셀; 및상기 집전체와 셀 사이 및 1개 이상의 셀 사이에 연결재 및 실링재;를 포함하고,상기 셀은 내부에 제 1가스 흐름부가 구비되고 양말단이 밀봉된 음극; 및상기 음극에 코팅된 전해질층에 적층되어 구비된 양극;을 포함하고,상기 셀의 양단에는 두께 방향으로 상면 및 하면 중 선택되는 한면 이상에 1개 이상의 셀들의 제 1가스 흐름부를 연통하기 위한 연결구멍을 포함하며,상기 집전체는 상기 하우징에 연결된 제1 가스유입부 및 제1 가스유출부와 연결되는 연결구멍을 포함하고, 상기 집전체에 포함된 연결구멍은 집전체의 상부 및 하부를 관통하며,상기 제1 가스 유입부 및 제1 가스유출부는 상기 집전체 및 셀에 포함된 연결구멍과 연결되어 있고,상기 실링재는 셀 및 집전체에 포함된 연결구멍을 실링하여 연결관을 형성하는 역할을 하며, 상기 연결재는 상기 실링재로 형성된 연결관 사이에서 집전체 및 셀의 수직방향 사이에 적층되어 있으며,상기 연결재는 1개 이상의 셀을 연결, 집전체에 인접한 셀을 연결 및 제 2가스흐름부 역할을 하는 것을 특징으로 하는 대용량 평관형 고체 산화물 셀스택
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[청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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청구항 1에 있어서,상기 하우징에 연결된 제 1가스 유입부, 제 1가스유출부 및 제 2가스 유입부는 하우징과 가장 인접한 평관형 고체산화물 셀스택과 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 대용량 평관형 고체산화물 셀스택
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청구항 1에 있어서,상기 최하부 하우징에 제 1 가스유입부가 연결되고, 최상부 하우징에 제 1가스유출부 및 제 2가스 유입부가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 대용량 평관형 고체산화물 셀스택
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청구항 4에 있어서,최하부 하우징에 연결된 제 1가스 유입부로부터 공급되는 제 1가스는 최하부 하우징과 인접한 평관형 고체산화물 셀스택의 최하부 집전체를 통해 유입되는 것을 특징으로 하는 대용량 평관형 고체산화물 셀스택
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청구항 1에 있어서,상기 최하부 하우징에 제 1가스유입부가 연결되고, 최상부 하우징에 제 1가스유출부 및 제 2가스유입부가 연결되어 있으며,상기 최하부 집전체의 한쪽에 제 1가스유입부가 최하부 집전체 및 셀에 형성된 연결구멍과 연결되어 있고,상기 최상부 집전체의 한쪽에 제 1가스유출부가 최상부 집전체 및 셀에 형성된 연결구멍과 연결되어 있고,상기 제 1가스유출부는 제1가스유입부의 반대쪽에 위치한 것을 특징으로 하는 대용량 평관형 고체산화물 셀스택
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청구항 1에 있어서,상기 하우징은 600~800℃에서 변형이 없는 인코넬 금속이고,상기 하우징의 평균 두께는 1~5mm이고,상기 셀은 세라믹이고,상기 연결재는 크로퍼, 금, 탄화규소, 탄화규소 섬유 및 Ag 폼 중 선택되는 어느 하나 이상을 포함하고,상기 연결재의 평균 두께는 1~5mm이고,상기 실링재는 금, 은, 유리실링재 및 마이카 중 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 대용량 평관형 고체산화물 셀스택
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삭제
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청구항 1의 대용량 평관형 고체산화물 셀스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체산화물 연료전지
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청구항 1의 대용량 평관형 고체산화물 셀스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체산화물 수전해장치
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1개 이상의 청구항 1의 대용량 평관형 고체산화물 셀스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 대용량 일체형 평관형 장치
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