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촉매층을 준비하는 단계(단계 a);상기 촉매층 상에 그래핀층을 형성하여 그래핀층/촉매층을 포함하는 적층체를 제조하는 단계(단계 b);상기 그래핀층/촉매층으로 이루어진 적층체의 그래핀층 상에 다환 방향족 탄화수소 화합물(polycyclic aromatic hydrocarbon compound)을 포함하는 지지층을 형성하여 지지층/그래핀층/촉매층을 포함하는 적층체를 제조하는 단계(단계 c);상기 지지층/그래핀층/촉매층을 포함하는 적층체에서 상기 촉매층을 제거하여 지지층/그래핀층을 포함하는 적층체를 제조하는 단계(단계 d);상기 지지층/그래핀층을 포함하는 적층체를 기재에 전사시켜 지지층/그래핀층/기재를 포함하는 적층체를 제조하는 단계(단계 e); 및상기 지지층/그래핀층/기재를 포함하는 적층체에서 상기 지지층을 제거하여 그래핀층/기재를 포함하는 적층체를 제조하는 단계(단계 f);를 포함하고,단계 f의 지지층 제거는 유기용매에 침지시킴으로써 수행되는 것인 그래핀의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 다환 방향족 탄화수소 화합물이 3 내지 20개의 벤젠고리가 융합된 다환 방향족 탄화수소 화합물 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제2항에 있어서,상기 다환 방향족 탄화수소 화합물이 파이렌(pyrene), 아세나프탈렌(acenaphthylene), 플루오렌(fluorene), 페난트렌(phenanthrene), 벤조(a)안트라센(benzo(a)anthracene), 크리센(chrysene), 벤조(b)플루란텐(benzo(b)fluoranthene), 벤조(k)플루란텐(benzo(k)fluoranthene), 벤조(a)파이렌(benzo(a)pyrene), 인데노(1,2,3-cd)파이렌(indeno(1,2,3-cd)pyrene), 디벤조(a,h)안트라센(dibenzo(a,h)anthracene), 및 벤조(ghi)퍼릴렌(benzo(ghi)perylene) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제2항에 있어서,상기 다환 방향족 탄화수소 화합물이 하기 구조식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제4항에 있어서,상기 구조식 1로 표시되는 화합물이 안트라센(anthracene), 테트라센(tetracene), 펜타센(pentacene), 헥사센(hexacene), 및 헵타센(heptacene) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 촉매층이 니켈, 철, 구리, 백금, 팔라듐, 루테늄 및 코발트 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제1항에 있어서,단계 b의 그래핀층 형성이 화학기상증착에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제7항에 있어서,상기 화학기상증착이 저압 화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), 상압 화학기상증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학기상증착(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition), 줄-히팅(Joul-heating) 화학기상증착, 및 마이크로웨이브 화학기상증착 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제7항에 있어서,상기 화학기상증착이 탄화수소 기체 및 탄화수소 고체 중에서 선택된 1종 이상을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제7항에 있어서,상기 화학기상증착이 수소 또는 아르곤 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제9항에 있어서,상기 탄화수소 기체가 메탄, 에탄, 및 프로판 중에서 선택된 1종 이상이고, 상기 탄화수소 고체가 저분자 및 고분자 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제1항에 있어서,단계 c에서 상기 지지층의 형성이 유기분자성 증착법, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 바 코팅법, 및 드롭 코팅법 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 다환 방향족 탄화수소 화합물은 10nm 내지 10㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제1항에 있어서,단계 d의 촉매층의 제거가 과황산 암모늄 수용액, 염화 제이철(FeCl3) 수용액, 및 염산 수용액 중에서 선택된 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제14항에 있어서,상기 촉매층의 제거 전에 산소에 의한 플라즈마 처리하는 과정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 기재가 실리콘 웨이퍼, 유리 및 플라스틱 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 유기용매가 아로마틱 또는 헤테로시클릭 구조를 포함하는 유기용매인 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 유기용매가 벤젠, 톨루엔, 클로로벤젠, 테트라하이드로퓨란, 다이클로로벤젠, 클로로포름, 및 아세톤 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법
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제1항에 따른 그래핀의 전사방법을 포함하는 전자소자의 제조방법
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제21항에 있어서,상기 전자소자가 터치패널, 전기 발광 디스플레이, 백라이트, 전파 식별(RFID) 태그, 태양전지모듈, 전자종이, 평면 디스플레이용 TFT, TFT 어레이, 및 그래핀 기반 센서 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
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