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기판에 대해 플라즈마 공정을 처리하는 공정 챔버 내의 광을 측정하는 광 측정부;상기 광 측정부로부터 수집된 광을 전달받아 플라즈마 상태를 분석하는 광 분석부;상기 광 분석부의 출력 신호를 전달받아 상기 출력 신호를 처리하는 제어부; 그리고 상기 공정 챔버와 상기 광 측정부 사이에 배치되어 상기 광 측정부에 결합되고, 상기 광 측정부로 수집되는 수집광을 제어하는 수광 제어부를 포함하는 광학 분광 분석 장치
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제 1 항에 있어서,상기 수광 제어부는 상기 수집광의 입사 범위를 제어하는 광학 분광 분석 장치
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제 2 항에 있어서,상기 수광 제어부는 원통 형상으로 제공되고,상기 수광 제어부의 내경은 상기 광 측정부의 내경보다 큰 광학 분광 분석 장치
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제 3 항에 있어서,상기 광학 분광 분석 장치는,상기 광 측정부를 회전시키는 회동부를 더 포함하는 광학 분광 분석 장치
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제 4 항에 있어서,상기 광 측정부는 상기 수광 제어부에 강제 끼움되는 광학 분광 분석 장치
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제 4 항에 있어서,상기 광 측정부의 일단은 상기 수광 제어부에 강제 끼움되는 광학 분광 분석 장치
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제 6 항에 있어서,상기 수광 제어부는:상기 광 측정부의 상기 일단을 감싸는 바디;상기 바디 내에 매설되고, 상기 수집광을 제어하는 조절부;상기 바디 내의 상기 조절부의 일단에 인접하게 배치된 탄성 부재;상기 광 측정부로부터 상기 조절부의 타단의 위치를 조절하도록 상기 탄성 부재를 제어하는 조절핀을 포함하는 광학 분광 분석 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 수광 제어부는 그 내부에 상기 수집광을 제어하는 조리개를 더 포함하는 광학 분광 분석 장치
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제 8 항에 있어서,상기 수광 제어부는, 상기 수집광의 광량을 조절하도록 상기 조리개를 제어하는 조절핀을 더 포함하는 광학 분광 분석 장치
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제 1 항에 있어서,상기 수광 제어부는 상기 수집광의 광량을 제어하는 광학 분광 분석 장치
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