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기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에, 아연 산화물을 포함하는 제1 물질막(first material layer), 및 알루미늄 산화물을 포함하는 제2 물질막(second material layer)을 형성하는 공정을 복수회 수행하여, 적층 구조체(stacked structure)를 제조하는 단계를 포함하되, 상기 적층 구조체의 두께가 고정된 상태에서, 상기 제2 물질막들의 두께를 조절하여, 상기 적층 구조체의 power factor 값을 조절하는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제2 물질막들의 두께는 4
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제1 항에 있어서, 상기 제1 물질막들 및 상기 제2 물질막들은 원자층 증착법으로 제조되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 물질막들의 두께는 상기 제2 물질막들의 두께보다 두꺼운 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 제1 물질막들은 서로 동일한 두께를 가지고, 상기 제2 물질막들은 서로 동일한 두께를 갖는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
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기판; 및아연 산화물을 포함하고 상기 기판 상에 서로 이격되어 배치된 제1 물질막들, 및 알루미늄 산화물을 포함하고 상기 제1 물질막들 사이에 배치된 제2 물질막들을 포함하는 적층 구조체를 포함하되, 상기 제1 물질막들의 두께의 합은, 상기 제2 물질막들의 두께의 합보다 큰 것을 포함하는 열전 소자
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7
제6 항에 있어서, 상기 제2 물질막들의 두께에 따라서, 상기 적층 구조체의 power factor 값이 조절되는 것을 포함하는 열전 소자
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제7 항에 있어서, 상기 제2 물질막들의 두께가 8
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제6 항에 있어서, 상기 제1 물질막들은 ZnO로 형성되고, 상기 제2 물질막들은 Al2O3로 형성되는 것을 포함하는 열전 소자
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원자층 증착법으로, 기판 상에 아연 산화물을 포함하는 제1 물질막을 형성하는 단계; 원자층 증착법으로, 상기 제1 물질막 상에 알루미늄 산화물을 포함하는 제2 물질막을 형성하는 단계; 및상기 제1 물질막을 형성하는 단계 및 상기 제2 물질막을 형성하는 단계를 복수회 반복 수행하여, 교대로 그리고 반복적으로 적층된 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막을 포함하는 적층 구조체를 제조하는 단계를 포함하되, 상기 적층 구조체의 두께가 고정된 상태에서, 상기 제2 물질막의 두께를 조절하여, 상기 적층 구조체의 power factor 값이 조절되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 제1 물질막을 형성하는 단계는, 아연을 포함하는 제1 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계; 및산소를 포함하는 제2 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제2 물질막을 형성하는 단계는, 알루미늄을 포함하는 제3 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계; 및산소를 포함하는 제4 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제3 소스를 제공하는 단계 및 상기 제4 소스를 제공하는 단계를 교대로 반복 수행하는 횟수에 따라, 상기 적층 구조체의 power factor 값이 조절되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서, 상기 제3 소스를 제공하는 단계 및 상기 제4 소스를 제공하는 단계는 6회 이상 반복 수행되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서, 상기 제1 물질막은, 상기 제1 소스를 제공하는 단계, 및 상기 제2 소스를 제공하는 단계를 교대로 반복 수행하여 형성되고, 상기 제2 물질막은, 상기 제3 소스를 제공하는 단계, 및 상기 제4 소스를 제공하는 단계를 교대로 반복 수행하여 형성되되, 상기 제3 소스를 제공하는 단계 및 상기 제4 소스를 제공하는 단계를 교대로 반복 수행하는 횟수보다, 상기 제1 소스를 제공하는 단계 및 상기 제2 소스를 제공하는 단계가, 더 많이 교대로 반복 수행되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 적층 구조체의 두께가 고정된 상태에서, 상기 제2 물질막의 두께를 조절하여, 상기 적층 구조체의 제벡 계수 값이 조절되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
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