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고농도 N+형 SIC wafer 기판 위에 저농도 N-형 SIC 에피택시층을 적층 형성하는 단계;상기 N+형 SIC wafer 기판 하부에 제1 금속을 증착하여 하부 접촉 금속 전극막을 형성하는 단계;상기 N-형 SIC 에피택시층 상부에 하나의 마스크에 의하여 제2 금속을 증착하여 쇼트키 접촉 금속막 및 플로팅 메탈링의 하부층을 형성하는 단계;- 상기 쇼트키 접촉 금속막은 중앙에 위치하고, 상기 플로팅 메탈링의 하부층은 상기 쇼트키 접촉 금속막의 양측 단부에 일정 간격을 가지고 복수 개가 형성되는 것을 특징으로 함
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제1항에 있어서,상기 N-형 SIC 에피택시층은 9
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제1항에 있어서,상기 제2금속은 몰리브덴이고 상기 쇼트키 접촉 금속막 및 상기 플로팅 메탈링의 하부층은 3,000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계완화형 플로팅 메탈링을 가진 SIC 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제3금속은 알루미늄이고 상기 상부 메탈 전극막 및 상기 플로팅 메탈링의 상부층은 2,000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계완화형 플로팅 메탈링을 가진 SIC 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 상부 메탈 전극막의 폭은 2,800㎛이며, 상기 상부 전극 패드의 폭은 1,800㎛로 형성되며, 상기 상부 전극 패드의 두께는 10,000㎛로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계완화형 플로팅 메탈링을 가진 SIC 쇼트키 다이오드 제조 방법
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6
제1항에 있어서,상기 플로팅 메탈링은 상기 쇼트키 접촉 금속막의 양측 단부에 5개로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계완화형 플로팅 메탈링을 가진 SIC 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 플로팅 메탈링은 0
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고농도 N+형 SIC 기판;상기 N+형 SIC 기판 위에 적층 형성되는 저농도 N-형 SIC 에피택시층;상기 N+형 SIC 기판 하부에 제1 금속을 증착하여 형성된 하부 접촉 금속 전극막;상기 N-형 SIC 에피택시층 상부에 제2 금속이 증착되어 형성된 쇼트키 접촉 금속막 및 플로팅 메탈링의 하부층;- 상기 쇼트키 접촉 금속막은 중앙에 위치하고, 상기 플로팅 메탈링의 하부층은 상기 쇼트키 접촉 금속막의 양측 단부에 일정 간격을 가지고 복수 개가 형성되는 것을 특징으로 함 -상기 쇼트키 접촉 금속막 상부에 제3 금속이 증착되어 형성된 상부 메탈 전극막 및 상기 플로팅 메탈링의 하부층 상부에 제3 금속을 증착하여 형성된 플로팅 메탈링의 상부층; 및상기 상부 메탈 전극막 상부에 제3 금속을 증착하여 형성된 상부 전극 패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계완화형 플로팅 메탈링을 가진 SIC 쇼트키 다이오드
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제8항에 있어서, 상기 제2금속은 몰리브덴이고 상기 제3금속은 알루미늄이며,상기 쇼트키 접촉 금속막 및 상기 플로팅 메탈링의 하부층은 3,000Å 두께로 형성되고, 상기 상부 메탈 전극막 및 상기 플로팅 메탈링의 상부층은 2,000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계완화형 플로팅 메탈링을 가진 SIC 쇼트키 다이오드
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제7항에 있어서,상기 플로팅 메탈링은 상기 쇼트키 접촉 금속막의 양측 단부에 5개로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계완화형 플로팅 메탈링을 가진 SIC 쇼트키 다이오드
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제10항에 있어서,상기 플로팅 메탈링은 0
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