맞춤기술찾기

이전대상기술

박막 트랜지스터 제조방법(Manufacturing method of the thin film transistor)

  • 기술번호 : KST2016018258
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 박막 트랜지스터 제조방법은 기판의 상면에 게이트절연층을 형성하는 절연층 형성 단계, 상기 게이트절연층의 상면에 열 원자 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방법을 이용하여, 증착온도를 연속적으로 변화시키며 액티브층을 증착하는 액티브층 증착 단계, 상기 게이트절연층의 하면에 게이트전극을 형성하는 제 1 전극 형성 단계 및 상기 액티브층의 상면에, 티타늄(Ti)을 포함하는 금속을 증착하여 소스 전극 및 드레인전극을 상기 액티브층과 일부 중첩되도록 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하여 마련된다. 상기의 본 발명의 박막 트랜지스터 제조방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터는 액티브층 및 게이트절연층의 결함 밀도를 줄일 수 있으며, 높은 전압의 게이트 바이어스에서도, 본 발명의 액티브층은 Vth의 변동폭이 낮으므로, 전기적 안정성이 종래의 일반적인 박막 트랜지스터에 비해 개선되었다.
Int. CL H01L 21/314 (2006.01) H01L 27/32 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01)
출원번호/일자 1020150051835 (2015.04.13)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1678776-0000 (2016.11.16)
공개번호/일자 10-2016-0121942 (2016.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20161122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.13)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정광석 대한민국 대전광역시 서구
2 이가원 대한민국 대전광역시 유성구
3 엄기윤 대한민국 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인태동 대한민국 서울특별시 구로구 가마산로 ***, ***호(구로동, 대림오피스밸리)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0358240-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0523836-30
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.18 수리 (Accepted) 9-1-2015-0080880-79
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0596345-05
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0993654-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0993653-62
10 등록결정서
Decision to grant
2016.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0813525-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막 트랜지스터 제조방법으로서,기판의 상면에 게이트절연층을 형성하는 절연층 형성 단계;상기 게이트절연층의 상면에 열 원자 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방법을 이용하여, 증착온도를 연속적으로 낮추며 액티브층을 증착하는 액티브층 증착 단계;상기 기판의 하면에 게이트전극을 형성하는 제 1 전극 형성 단계; 및상기 액티브층의 상면에, 티타늄(Ti)을 포함하는 금속을 증착하여 소스 전극 및 드레인 전극을 상기 액티브층과 적어도 일부 중첩되도록 형성하는 제 2 전극 형성 단계;를 포함하고,상기 액티브층은 아연 산화물계 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 액티브층 증착 단계는, 증착온도를 80℃ 내지 200℃ 사이의 범위에서 연속적으로 낮추며 상기 액티브층을 증착시키는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 액티브층 증착 단계는 증착온도를 200℃에서 80℃로 연속적으로 낮추며 상기 액티브층을 증착시키는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 액티브층 증착 단계에서, 열 원자 증착 사이클(ALD Cycle)이 적어도 두 번 이상 반복하여 상기 액티브층을 증착시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 아연 산화물계 반도체는 ZnO, IGZO, ITZO 및 IAZO 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 충남대학교 이공분야기초연구-여성과학자 유연성 투명 전자소자 적용을 위한 산화물 기반 박막트랜지스터 연구
2 산업통상자원부 충남대학교 산업핵심기술개발사업 웨어러블 스마트 기기를 위한 컴퓨터비전 기반 UI/UX용 SoC 및 SW 플랫폼 연구