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열전소재 및 이를 포함하는 열전소자와 열전모듈(Thermoelectric materials, and thermoelectric element and thermoelectric module comprising the same)

  • 기술번호 : KST2016018306
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Bi-Se-Te계 화합물에 이온 원소를 도핑함으로써 열전성능이 증대된 고효율의 열전소재 및 이를 포함하는 열전소자와 열전모듈에 관한 것이다.본 발명에 따른 열전소재는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함한다.003c#화학식 1003e#(AB2)x(Bi2Se2.7Te0.3)1-x 상기 화학식 1에서,상기 A는 2가 양이온 원소이고,상기 B는 1가 음이온 원소이고,상기 A와 B는 각각 서로 상이한 원소이고,상기 x는 0.0 003c# x ≤ 0.4이다. 또는, 본 발명에 따른 열전소재는 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함한다.003c#화학식 2003e#(AB)x(Bi2Se2.7Te0.3)1-x 상기 화학식 2에서,상기 A는 1가 양이온 원소이고,상기 B는 1가 음이온 원소이고,상기 A와 B는 각각 서로 상이한 것이고,상기 x는 0.0 003c# x ≤ 0.4이다.
Int. CL H01L 35/02 (2006.01) H01L 35/18 (2006.01) H01L 35/14 (2006.01) H01L 35/16 (2006.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020150052387 (2015.04.14)
출원인 엘지전자 주식회사, 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0122468 (2016.10.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류병길 대한민국 서울특별시 금천구
2 이종수 대한민국 경기도 화성시 영통로**번길 **,
3 김진희 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0362473-83
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0511303-92
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0020379-55
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0520410-61
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0846239-69
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0846240-16
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0783349-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하고,상기 화합물은Te 또는 Se를 포함하는 적어도 하나의 제 1층 및Bi를 포함하고, 상기 제 1층의 상부 및 하부 중 적어도 하나의 부분에 배치되는 적어도 하나의 제 2층을 포함하는 층상구조이고, 상기 제 1층들 사이에 A 양이온 원소가 삽입되고,상기 제 1층의 Te 또는 Se 위치에 B 음이온 원소가 치환되는 반강유전성 열전소재:003c#화학식 1003e#(AB2)x(Bi2Se2
2 2
하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함하고,상기 화합물은Te 또는 Se를 포함하는 적어도 하나의 제 1층 및Bi를 포함하고, 상기 제 1층의 상부 및 하부 중 적어도 하나의 부분에 배치되는 적어도 하나의 제 2층을 포함하는 층상구조이고, 상기 제 1층들 사이에 상기 A 양이온 원소가 삽입되고,상기 제 1층의 Te 또는 Se 위치에 B 음이온 원소가 치환되는 반강유전성 열전소재:003c#화학식 2003e#(AB)x(Bi2Se2
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 A는 전이금속 원소이고,상기 B는 할로겐족 원소인 열전소재
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 A는 Cu, Ag 및 이들의 화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 열전소재
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 B는 I, Br, Cl 및 이들의 화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 열전소재
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 화합물이 단결정구조를 갖는 열전소재
11 11
제 1항 또는 제 2항의 열전소재를 포함하는 열전소자
12 12
제 1전극, 제 2전극 및 상기 제 1전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치된 열전소자를 포함하고,상기 열전소자는 제 1항 또는 제 2항의 열전소재를 포함하는 열전모듈
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP06563031 JP 일본 FAMILY
2 JP30516457 JP 일본 FAMILY
3 US10600947 US 미국 FAMILY
4 US20180083176 US 미국 FAMILY
5 WO2016167525 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE112016001086 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 JP2018516457 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP6563031 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US10600947 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US2018083176 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO2016167525 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.