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플라즈마 아크를 발생시키는 아크 발생부;상기 아크 발생부에서 좁아진 제1통로로 연결되어 발생된 아크를 집중시켜 아크 밀도를 높이는 고열밀도부;상기 고열밀도부에서 확장되는 증발공간을 형성하는 증발 공간부;상기 증발 공간부에 설치되어 상기 증발공간에서 확장되는 아크를 향하여 증발 대상 액체를 분사하는 분사 노즐; 및상기 증발 공간부에 좁아지는 제2통로로 연결되어 상기 증발 공간부에서 증발된 증발 대상 액체의 증기를 배출하는 증기 배출부를 포함하며,상기 아크 발생부는방전 기체를 공급하고 전기적으로 접지되는 제1하우징,상기 제1하우징에 좁아지는 제1경사면으로 연결되어 상기 제1통로를 형성하는 제2하우징, 및상기 제1하우징에 내장되어 상기 제1경사면 사이에 방전갭을 형성하며 구동 전압이 인가되는 구동 전극을 포함하고,상기 제2하우징은상기 제1경사면의 반대측에 확장되는 제2경사면, 및상기 제1경사면과 상기 제2경사면의 외주에 열교환 챔버를 형성하는 열교환 하우징을 더 포함하며,상기 분사 노즐은상기 증발공간의 상기 제2경사면에 증발 대상 액체를 분사하고,상기 열교환 챔버는상기 분사 노즐과 연통되고 저온의 증발 대상 액체를 공급하는 공급 포트에 연결되고,고온의 증발 대상 액체를 배출하는 배출 포트에 연결되는 플라즈마 증발기
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제1항에 있어서,상기 고열밀도부는상기 제1통로로 설정되는 플라즈마 증발기
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제3항에 있어서,상기 증발 공간부는상기 제2경사면,상기 제2경사면의 확장된 단부에 연결되어 증발공간을 설정하는 제3하우징, 및상기 제3하우징에 연결되는 상기 증기 배출부의 제4하우징의 좁아지는 제3경사면으로 설정되는 플라즈마 증발기
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제3항에 있어서,상기 열교환 하우징은상기 제2하우징의 외주에 배치되어 상기 제2하우징과의 사이에 열교환하는 상기 열교환 챔버를 형성하는 플라즈마 증발기
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제5항에 있어서,상기 열교환 챔버는상기 열교환 챔버 내의 기상 공간 또는 버블 생성을 방지하고 증발 대상 액체의 압력을 유지하는 안전변에 연결되는 플라즈마 증발기
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제4항에 있어서,상기 제2경사면에 구비되어 미증발 액적을 증발시키는 전열판을 더 포함하는 플라즈마 증발기
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제1항에 있어서,상기 증발 대상 액체는 요소수 또는 암모니아수 인 플라즈마 증발기
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가스 터빈에 연결되는 배기가스 관로;상기 배기가스 관로에 설치되는 SCR(selective catalytic reduction) 촉매; 및상기 가스 터빈과 상기 SCR 촉매 사이에서 상기 배기가스 관로에 설치되어 요소수 또는 암모니아수를 증발시켜 상기 배기가스 관로로 공급하는 상기 제1항, 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항의 플라즈마 증발기를 포함하는 배기가스 제거 시스템
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제9항에 있어서,상기 배기가스 관로는상기 플라즈마 증발기가 설치되는 증발기 챔버를 더 구비하고,상기 증발기 챔버의 하측으로 배기가스를 공급하여 상측으로 배출하도록 연결되며상기 플라즈마 증발기는상기 증발기 챔버의 하측에서 배기가스의 유입 방향을 향하여 증기를 분사하도록 배치되는 배기가스 제거 시스템
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