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복수의 메모리 셀들로 구성되는 메모리 셀 어레이;상기 각 메모리 셀의 컬럼(column) 방향에 위치한 각 판독비트라인(RBL, read bit line)의 누설 전류를 고려하여 상기 각 판독비트라인에 참조되는 랜덤 데이터를 선정된 개수의 범위로 랜덤화하고, 렌덤 데이터를 생성하는 랜덤 데이터 생성부; 및상기 생성된 랜덤 데이터를 이용하여 입력 데이터를 렌덤화하고, 렌덤화된 입력 데이터를 상기 컬럼(column) 방향에 위치한 각 판독비트라인에게 제공하는 제공부를 포함하는 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 랜덤 데이터 생성부는,상기 각 판독비트라인의 누설 전류 증가를 고려하여 '0'의 데이터 개수와 '1'의 데이터 개수의 차를 결정하되, 상기 누설 전류 억제를 위해 '0'의 데이터 개수와 '1'의 데이터 개수의 차가 30% 이내 범위로 설정하는메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 랜덤 데이터 생성부는상기 각 판독비트라인에서 상위비트(MSB, most significant bit)에 대응되는 개수의 상기 랜덤 데이터를 생성하는메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 랜덤 데이터 생성부는배타적 부정 논리합(XNOR, exclusive-NOR) 연산 로직이 포함된 선형 피드백 시프트 레지스터(LFSR, linear feedback shift register) 회로를 이용하여 상기 랜덤 데이터를 생성하는메모리 장치
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제4항에 있어서,상기 랜덤 데이터 생성부는상기 선형 피드백 시프트 레지스터 회로의 동작을 제어하기 위한 상기 메모리 셀 어레이의 로우 어드레스(row address)에 기반하여 상기 랜덤 데이터를 생성하는메모리 장치
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제5항에 있어서,상기 로우 어드레스에 대응하는 상기 각 메모리 셀의 각 워드라인(word line)을 연결하는 디코더를 더 포함하는메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 제공부는상기 랜덤 데이터와 상기 입력 데이터를 플리핑(flipping)하여 플리핑 데이터를 생성하고, 상기 플리핑 데이터를 컬럼(column) 방향에 위치한 상기 각 판독비트라인에게 제공하는메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 제공부는멀티플렉서(multiplexer) 연산 로직이 포함된 플리핑 회로를 이용하여 상기 생성된 랜덤 데이터와 상기 입력 데이터를 플리핑하는메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 제공부는주변 셀들 간의 데이터 영향을 고려하여 상기 랜덤화된 입력 데이터를 디커플링(decoupled)된 구조의 상기 각 판독비트라인에게 제공하는메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이는컬럼 기반의 비트라인 누설 전류 억제를 위해 상기 각 판독비트라인의 누설 전류를 측정하고, 측정된 누설 전류의 양이 기준 값 이상인 경우 상기 랜덤 데이터를 생성하되, 상기 제공부는 랜덤화된 입력 데이터와 랜덤화되지 않은 입력 데이터를 구분하기 위해, 입력 데이터에 마킹을 추가하는 것을 특징으로 하는메모리 장치
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복수의 메모리 셀들로 구성되는 메모리 셀 어레이를 포함하는 메모리 장치의 동작 방법에 있어서,상기 각 메모리 셀의 컬럼(column) 방향에 위치한 각 판독비트라인의 누설 전류를 고려하여 상기 각 판독비트라인에 참조되는 랜덤 데이터를 선정된 개수의 범위로 랜덤화하고, 랜덤 데이터를 생성하는 단계; 및상기 생성된 랜덤 데이터를 이용하여 입력 데이터를 랜덤화하고, 랜덤화된 입력 데이터를 상기 컬럼(column) 방향에 위치한 각 판독비트라인에게 제공하는 단계를 포함하는 메모리 장치의 동작 방법
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제11항에 있어서,상기 랜덤 데이터를 생성하는 단계는,상기 각 판독비트라인의 누설 전류 증가를 고려하여 '0'의 데이터 개수와 '1'의 데이터 개수의 차를 결정하되, 상기 누설 전류 억제를 위해 '0'의 데이터 개수와 '1'의 데이터 개수의 차가 30% 이내 범위로 설정하는 것을 특징으로 하는메모리 장치의 동작 방법
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제11항에 있어서,상기 랜덤 데이터를 생성하는 단계는상기 각 판독비트라인에서 상위비트에 대응되는 개수의 상기 랜덤 데이터를 생성하는메모리 장치의 동작 방법
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제11항에 있어서,상기 각 판독비트라인에게 제공하는 단계는상기 랜덤 데이터와 상기 입력 데이터를 플리핑(flipping)하여 플리핑 데이터를 생성하고, 상기 플리핑 데이터를 컬럼 방향에 위치한 상기 각 판독비트라인에게 제공하는메모리 장치의 동작 방법
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제11항에 있어서, 상기 랜덤 데이터를 생성하는 단계는, 컬럼 기반의 비트라인 누설 전류 억제를 위해 상기 각 판독비트라인의 누설 전류를 측정하고, 측정된 누설 전류의 양이 기준 값 이상인 경우 상기 랜덤 데이터를 생성하는 것을 포함하되, 랜덤화된 입력 데이터와 랜덤화되지 않은 입력 데이터를 구분하기 위해, 입력 데이터에 마킹을 추가하는 것을 특징으로 하는메모리 장치의 동작 방법
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