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(1)기판 상에 제 1전극을 형성하는 단계;(2)상기 제 1전극 상부에 유전층을 형성하는 단계;(3)상기 유전층 상부에 유기 물질을 도포하여 유기 반도체막을 형성한 후, 양성자빔을 조사하는 단계; 및(4)상기 양성자빔이 조사된 유기 반도체막 상부에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 소자 제조방법으로,상기 유기 물질은 팁스-펜타센을 포함하며,상기 양성자빔은 10 내지 20MeV 영역의 에너지로 가속된 양성자빔인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1전극은 산화인듐주석, 산화인듐아연, 산화인듐주석아연, 산화알루미늄아연, 산화갈륨아연, n 도핑된 실리콘 및 Au-Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 유전층은 파릴렌, 에폭시, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리비닐클로라이드, 벤조사이클로부텐, 폴리비닐알코올, 폴리비닐페놀, 사이클로펜텐 및 산화규소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 물질은 스핀코팅법, 슬릿코팅법, 드럽캐스팅법, 딥캐스팅법, 잉크젯법, 프린팅법 및 임프린트법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 방법으로 도포되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 반도체막의 두께는 10 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 반도체막의 접촉저항은 100 내지 200kΩ 인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제 2전극은 금, 은, 백금, 크롬, 티타늄, 구리, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈 및 팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 반도체 소자는 유기 이중층 다이오드인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 11에 있어서, 상기 유기 이중층 다이오드는 제 1전극이 산화인듐주석, 유전층이 폴리이미드, 유기 반도체막이 팁스-펜타센 및 제 2전극이 금인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 반도체 소자는 유기 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 13에 있어서, 상기 유기 트랜지스터는 제 1전극이 Au-Si, 유전층이 산화규소, 유기 반도체막이 팁스-펜타센 및 제 2전극이 금인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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청구항 1의 방법으로 제조된 유기 반도체 소자
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청구항 15에 있어서, 상기 유기 반도체 소자는 유기 이중층 다이오드인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 16에 있어서, 상기 유기 이중층 다이오드는 제 1전극이 산화인듐주석, 유전층이 폴리이미드, 유기 반도체막이 팁스-펜타센 및 제 2전극이 금인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 15에 있어서, 상기 유기 반도체 소자는 유기 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 18에 있어서, 상기 유기 트랜지스터는 제 1전극이 Au-Si, 유전층이 산화규소, 유기 반도체막이 팁스-펜타센 및 제 2전극이 금인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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