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제1 게이트 전극;상기 제1 게이트의 일측에 구비되는 제2 게이트 전극;상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극의 사이에 구비되는 채널 영역;상기 채널 영역의 하부 및 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극의 사이에 구비되며, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 하부까지 연장되는 소스 영역;상기 채널 영역의 상부에 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 상면보다 높은 위치에 구비되는 드레인 영역;상기 드레인 영역을 제외한 부분인, 상기 채널 영역의 노출된 부분과, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 전면 및 후면과, 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극 사이에 구비된 상기 소스 영역의 노출된 부분을 도포하는 전계 강화막; 및상기 채널 영역과 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 경계면 및 상기 소스 영역과 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 경계면에 구비되는 게이트 절연막;을 포함하는 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 소스 영역은 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 상기 하부의 양 측면까지 연장되어 배치되는 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 드레인 영역 중 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극과 대향하는 부분까지 연장되는 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 소스 영역이 배치되는 기판;을 더 포함하는 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si) 기판, 게르마늄(Ge) 기판, 실리콘 및 게르마늄의 화합물을 포함하는 기판, III-V족 화합물을 포함하는 기판, SOI(Silicon-on-insulator) 기판, GOI(Germanium-on-insulator) 기판 및 SGOI(Silicon-Germanium-on-insulator) 기판 중 어느 하나인 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극 중 적어도 하나는 폴리실리콘, 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 백금(Pt), 산화 루테늄(RuO2), 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 탄탈룸(Ta) 및 질화탄탈룸(TaN)을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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7
제1항에 있어서,상기 소스 영역은 n-타입 불순물 및 p-타입 불순물 중 어느 하나로 도핑되고,상기 드레인 영역은 상기 n-타입 불순물 및 상기 p-타입 불순물 중 상기 소스 영역에 도핑된 불순물과는 다른 타입의 불순물로 도핑된 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제7항에 있어서, 상기 n-타입 불순물은 비소(As), 인(P), 비스무스(Bi) 및 안티몬(Sb) 중에서 적어도 하나를 포함하고,상기 n-타입 불순물의 도핑 농도는 1×1018/cm3 내지 1×1020/cm3인 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제7항에 있어서, 상기 p-타입 불순물은 알루미늄(Al), 붕소(B), 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 중에서 적어도 하나를 포함하고,상기 p-타입 불순물의 도핑 농도는 1×1018/cm3 내지 1×1020/cm3인 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 소스 영역은 게르마늄 및 실리콘 중 어느 하나를 포함하는 것이고,상기 드레인 영역은 상기 게르마늄 및 상기 실리콘 중 상기 소스 영역에 포함된 물질과 같거나 또는 다른 물질을 포함하는 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제10항에 있어서,상기 채널 영역은 상기 게르마늄 및 상기 실리콘 중 상기 드레인 영역에 포함된 물질을 포함하는 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 채널 영역은 비소(As), 인(P), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb), 알루미늄(Al), 붕소(B), 인듐(In), 갈륨(Ga) 중에서 적어도 하나를 포함하는 불순물로 도핑되고, 상기 불순물의 도핑 농도는 1×1015/cm3 내지 1×1016/cm3인 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극 중 적어도 하나는 상기 n-타입 불순물 및 상기 p-타입 불순물 중 상기 드레인 영역에 도핑된 불순물과 동일한 타입의 불순물로 도핑된 폴리실리콘을 포함하는 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제13항에 있어서,상기 폴리실리콘에 도핑된 불순물의 도핑 농도는 1×1018/cm3 내지 1×1020/cm3인 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 SiO2, Si3N4, Al2O3, HfO2 및 ZrO2 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 전계 강화막은 하이-k(high-k) 물질을 포함하는 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 전계 강화막은 SiO2, Si3N4, HfO2, ZrO2, La2O3, Al2O3 및 TiO2 중에서 적어도 하나를 포함하는 것인 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터
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