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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 복수개의 홀(hole)을 가지는 구조체를 형성하는 단계;상기 복수개의 홀을 가지는 구조체 내에 제 1 구리층을 형성하는 단계;상기 제 1 구리층 상에 산화구리층을 형성하는 단계; 및상기 산화구리층 상에 제 2 구리층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 구리층, 상기 산화구리층 및 상기 제 2 구리층은 인-시튜(in-situ) 공정으로 형성되며, 상기 제 1 구리층, 상기 산화구리층 및 상기 제 2 구리층은 전기화학증착(electrochemical deposition) 방법을 이용하여 바텀-업(bottom-up) 방식으로 연속적으로 성장시켜 형성되고,상기 전기화학증착 방법은 전류밀도(current density)를 조절함에 따라 상기 제 1 구리층, 상기 산화구리층 및 상기 제 2 구리층의 조성을 제어하고, 상기 제 1 구리층과 상기 제 2 구리층은 상기 산화구리층보다 상대적으로 더 높은 전류밀도에서 형성하는,상향식 저항변화메모리의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 복수개의 홀을 가지는 구조체는 양극산화 알루미늄(anodized aluminum oxide)을 포함하고, 상기 복수개의 홀은 균일한 크기를 가지며 일정한 간격으로 이격되어 배치된 나노기공(nano pore)인 것을 특징으로 하는,상향식 저항변화메모리의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 나노기공이 막히는 것을 억제하기 위해서, 상기 제 1 구리층, 상기 산화구리층 및 상기 제 2 구리층을 형성하는 동안 솔루션을 지속적으로 교반시키는,상향식 저항변화메모리의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계;는상기 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 접착층을 형성하는 단계; 및상기 접착층 상에 전극층을 형성하는 단계;를 더 포함하는,상향식 저항변화메모리의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 절연층 상에 접착층을 형성하는 단계;는전자빔증발증착(E-beam evaporation) 방법을 이용하여 상기 절연층 상에 티타늄(Ti)을 증착하는 단계;를 포함하는,상향식 저항변화메모리의 제조방법
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