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1차원 탄소소재가 2차원 탄소소재의 양측면에 성장된 다차원 탄소나노구조체를 포함하는 리튬이온 커패시터 전극용 전극활물질을 포함하는 음극 및 양극 중 적어도 하나의 전극을 포함하는 리튬이온 커패시터로서,상기 양극 및 상기 음극이 상기 전극활물질을 포함하는 경우,상기 음극에 포함되는 다차원 탄소나노구조체에서의 1차원 탄소소재의 평균길이는 상기 양극에 포함되는 다차원 탄소나노구조체에서의 1차원 탄소소재의 평균길이보다 큰 것을 특징으로 하는 리튬이온 커패시터
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1차원 탄소소재가 2차원 탄소소재의 양측면에 성장된 다차원 탄소나노구조체를 포함하는 리튬이온 커패시터 전극용 전극활물질을 포함하는 음극 및 양극 중 적어도 하나의 전극을 포함하는 리튬이온 커패시터로서,상기 양극 및 상기 음극이 상기 전극활물질을 포함하는 경우,상기 음극에 포함되는 다차원 탄소나노구조체에서의 1차원 탄소소재의 평균공극률은 상기 양극에 포함되는 다차원 탄소나노구조체에서의 1차원 탄소소재의 평균공극률보다 큰 것을 특징으로 하는 리튬이온 커패시터
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1차원 탄소소재가 2차원 탄소소재의 양측면에 성장된 다차원 탄소나노구조체를 포함하는 리튬이온 커패시터 전극용 전극활물질을 포함하는 음극 및 양극 중 적어도 하나의 전극을 포함하는 리튬이온 커패시터로서,상기 양극 및 상기 음극이 상기 전극활물질을 포함하는 경우,상기 음극에 포함되는 다차원 탄소나노구조체에서의 1차원 탄소소재의 비율은 상기 양극에 포함되는 다차원 탄소나노구조체에서의 1차원 탄소소재의 비율보다 큰 것을 특징으로 하는 리튬이온 커패시터
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청구항 1, 청구항 3 및 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 다차원 탄소나노구조체는 상기 1차원 탄소소재 및 상기 2차원 탄소소재가 직접 결합된 것인 리튬이온 커패시터
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청구항 1, 청구항 3 및 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 1차원 탄소소재는 탄소나노튜브이고,상기 2차원 탄소소재는 그래핀, 팽창흑연, 산화그래핀 및 환원그래핀산화물 중 적어도 어느 하나인 것인 리튬이온 커패시터
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청구항 1, 청구항 3 및 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 음극이 상기 전극활물질을 포함하는 경우,상기 음극에 포함되는 다차원 탄소나노구조체에서 2차원 탄소소재보다 1차원 탄소소재가 함량이 큰 것을 특징으로 하는 리튬이온 커패시터
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청구항 1, 청구항 3 및 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 양극이 상기 전극활물질을 포함하는 경우,상기 양극의 비표면적은, 상기 다차원 탄소나노구조체의 비표면적보다 큰 것을 특징으로 하는 리튬이온 커패시터
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청구항 1, 청구항 3 및 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 양극이 상기 전극활물질을 포함하는 경우,상기 양극의 비표면적은,1차원 탄소소재로 형성된 양극의 비표면적 및 2차원 탄소소재로 형성된 양극의 비표면적보다 큰 것을 특징으로 하는 리튬이온 커패시터
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