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고전도성 2차원 폴리아닐린 나노시트 및 그 제조 방법(a method for manufacturing of 2D polyaniline nanosheet with high conductivity at ice surface)

  • 기술번호 : KST2016018522
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 연구에서 우리는 얼음을 경형판(hard template)으로 이용하여 2차원 폴리아닐린(PANI) 나노 시트를 합성하는 새로운 방법을 제시하였다. 이렇게 합성된 PANI는 1V에서 5.5 mA라는 매우 높은 전류 흐름을 보이며 35 S/cm라는 명백히 높은 전기전도도 값을 보였다. 이는 과거 수십 년 동안 보고된 다른 문헌 값들에 비해 매우 향상된 값이다. 이러한 얼음 기판에서 형성된 PANI나노 시트의 뛰어난 전기적 특성은 얼음 표면에 대면적으로 정렬된 퀴노이드 링(quinoid)의 가장자리(edge-on)형태의 π-중첩에 기인하며 이는 얼음 표면의 도움으로 인한 PANI의 수직방향 성장 때문이다. 얼음 기판에서 성장된 PANI 나노 시트는 다음과 같이 전례 없는 두 가지의 장점을 가진다. 첫째로 합성된 PANI 나노시트는 얼음 표면에서 소위 말해 “뜨는(float off)” 형태로 다른 다양한 종류의 기판으로 쉽게 이동이 가능하다. 둘째로 합성된 PANI는 미리 만들어진 마스크를 이용하여 어떠한 형태로도 패터닝이 가능하며 이는 궁극적으로 값싸고 편리한 방법으로 다양한 용도의 전자기기에 전도성 고분자를 적용시킬 수 있게 할 것으로 기대된다.
Int. CL C08G 73/02 (2006.01.01) C08J 5/18 (2006.01.01) H01B 1/12 (2006.01.01)
CPC C08G 73/0226(2013.01)C08G 73/0226(2013.01)C08G 73/0226(2013.01)C08G 73/0226(2013.01)
출원번호/일자 1020150094331 (2015.07.01)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0124399 (2016.10.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150053859   |   2015.04.16
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.06.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문정 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 최일영 대한민국 경상북도 포항시 북구
3 이정필 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0641394-96
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0406954-98
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0407084-59
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0567862-72
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
8 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-0678138-32
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번호 청구항
1 1
아닐린 나노 시트를 제조하는 방법에 있어서, 아닐린을 얼음 표면에서 중합하는 것을 특징으로 하는 고전도성 아닐린 나노 시트 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 아닐린은 얼음 표면에 적하, 캐스팅, 또는 코팅에 의해서 액체 상태로 제공되는 것을 특징으로 하는 고전도성 아닐린 나노 시트 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 중합은 화학적 산화 중합인 것을 특징으로 하는 고전도성 아닐린 나노 시트 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 중합 반응은 0℃ 이하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전도성 아닐린 나노 시트 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 얼음을 녹여서 중합된 나노시트를 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 아닐린 나노 시트 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 얼음은 얼음 기판인 것을 특징으로 하는 고전도성 아닐린 나노시트 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 나노 시트는 10~40 nm 두께의 나노 시트인 것을 특징으로 하는 고전도성 아닐린 나노 시트 제조 방법
8 8
얼음 표면에 특정 패턴을 형성하고, 상기 얼음 표면에서 아닐린을 중합하여 특정 패턴을 따라서 아닐린 나노 시트를 제조하는 것을 특징으로 하는 고전도성 아닐린 나노 패턴 제조 방법
9 9
퀴노이드 링들이 실질적으로 수직 방향으로 배열되고, 컨쥬게이트된 링들이 엣지-온(edge-on) π-π 배열을 이루는 사방정계(orthorhombic) 구조를 가지는 고전도성 결정성 아닐린 나노 시트
10 10
제9항에 있어서, 상기 아닐린 나노 시트는 에메란딘 염으로 도핑된 것을 특징으로 하는 고전도성 아닐린 나노 시트
11 11
제9항에 있어서, 상기 고전도성 아닐린 나노 시트는 10S/cm이상의 전도성을 가지는 것을 특징으로 하는 고전도성 아닐린 나노 시트
12 12
얼음 기판, 및 상기 얼음 기판의 표면에 부착된 고전도성 아닐린 나노 시트f로 이루어진 복합체
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1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 글로벌프론티어사업 이온 및 전하 이동 제어 소재