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태양전지용 CIGSSe 박막 및 이의 제조방법, 이를 이용한 태양전지(CIGSSe Thin film for solar cell and the preparation method and its application to thin film solar cell)

  • 기술번호 : KST2016018639
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지용 CIGSSe 박막 및 이의 제조방법, 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 오제(Auger) 전자분광법의 분석 결과, 상기 박막의 표면에서 깊이 방향으로 황 함량의 극소값 지점까지는 황의 피크 세기(intensity)가 감소하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGSSe 박막을 제조하여, 상기 CIGSSe 박막 내의 밴드 갭을 제어함으로써 상기 CIGSSe 박막을 포함하는 태양전지는 광전 변환 효율을 개선시키는데 탁월한 효과를 나타낸다.
Int. CL H01L 31/0256 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0392 (2006.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020150056833 (2015.04.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1686478-0000 (2016.12.08)
공개번호/일자 10-2016-0125828 (2016.11.01) 문서열기
공고번호/일자 (20161228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.22)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민병권 대한민국 서울특별시 성북구
2 황윤정 대한민국 서울특별시 성북구
3 박세진 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0393258-99
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0399470-02
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0071509-44
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0075635-10
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0293457-90
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0408907-09
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0511665-38
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0617118-38
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2016.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0098887-27
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0733225-14
12 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 2016.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0560723-73
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0762758-06
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0762773-81
15 등록결정서
Decision to grant		 2016.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0882562-82
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번호 청구항
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(A) 기체상의 황 전구체 및 기체상의 셀레늄 전구체가 존재하는 분위기하에서 CIG산화물이 코팅된 기판을 가열하는 단계; 및(B) 상기 기체상의 셀레늄 전구체를 모두 소진시킨 후, 상기 기체상의 황 전구체 분위기하에서 상기 기판을 추가로 가열하는 단계;를 포함하는 태양전지용 CIGSSe 박막의 제조방법으로서,상기 기체상의 황 전구체는 H2S이고,상기 기체상의 셀레늄 전구체는 셀레늄 증기인 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGSSe 박막의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 (B)단계의 가열은 상기 (A)단계의 가열보다 더 높은 온도까지 승온시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGSSe 박막의 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 (B)단계의 가열은 상기 (A)단계의 가열보다 10 내지 100℃의 온도를 더 승온시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGSSe 박막의 제조방법
9 9
제6항에 있어서,상기 (A)단계의 가열은 400 내지 500℃의 온도에서 1 내지 60분간 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGSSe 박막의 제조방법
10 10
제6항에 있어서,상기 (B)단계의 가열은 510 내지 600℃의 온도에서 1 내지 60분간 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGSSe 박막의 제조방법
11 11
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12 12
제6항에 있어서,상기 CIG산화물은 Cu, In, Ga 전구체를 포함하는 페이스트를 열처리하여 기판에 코팅되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGSSe 박막의 제조방법
13 13
제6항에 있어서,상기 CIG산화물은 스핀코팅 또는 닥터블레이딩 방법으로 기판에 코팅되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGSSe 박막의 제조방법
14 14
제6항에 있어서,상기 기판은 몰리브데늄, 플루오린 틴 옥사이드 및 인듐 틴 옥사이드 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGSSe 박막의 제조방법
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제6항 내지 제10항 및 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항의 제조방법을 통해 제조된 CIGSSe 박막을 포함하는 태양전지
16 16
제1전극 상에 CIGSSe 박막을 형성하는 단계; 및상기 CIGSSe 박막 상에 제2전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법에 있어서,상기 CIGSSe 박막은 상기 제6항 내지 제10항 및 제12항 중 어느 한 항의 제조방법을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 제1전극은 몰리브데늄, 플루오린 틴 옥사이드 및 인듐 틴 옥사이드 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
18 18
제16항에 있어서,상기 제2전극은 몰리브데늄, 플루오린 틴 옥사이드, 인듐 틴 옥사이드, 니켈 및 알루미늄 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 태양전지는 황화카드뮴을 포함하는 버퍼층을 더 포함하는 태양전지의 제조방법
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2 US9484488 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국과학기술연구원 에너지기술개발사업 저가 용액공정 기반 다색 창호용 CIGS 박막 태양전지 개발
2 미래창조과학부 한국과학기술연구원 기후변화대응 기술개발사업 용액공정 이용 벌크 헤테로 접합 무기박막 태양전지 제조 원천기술개발