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저마나이드 형성 방법 및 그 저마나이드를 포함하는 반도체 소자(METHOD OF FORMING GERMANIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE GERMANIDE)

  • 기술번호 : KST2016018669
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 접촉저항을 낮출 수 있는 저마나이드 형성 방법 및 저마나이드를 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 저마나이드 형성 방법은 게르마늄(Ge) 기판 상에 안티모니 층을 증착하는 단계; 상기 안티모니 층 상에 금속 층을 증착하는 단계; 및 상기 금속 층이 증착된 기판을 열처리하는 단계;를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01)
출원번호/일자 1020150056635 (2015.04.22)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0125761 (2016.11.01) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희덕 대한민국 대전광역시 서구
2 김제영 대한민국 대전광역시 중구
3 이맹 중국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0392123-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0064728-72
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0316318-83
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0609308-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0740739-23
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0740740-70
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0929185-18
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0190080-88
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0190081-23
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0421901-67
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0698309-18
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.07.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0698307-27
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0567411-86
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게르마늄 기판 상에 안티모니를 증착하여 상기 게르마늄 기판 상에 접촉된 안티모니 층을 형성하는 단계;상기 안티모니 층 상에 금속을 증착하여 금속 층을 형성하는 단계; 및 상기 금속 층이 형성된 상기 게르마늄 기판을 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 금속 층은 니켈을 포함하며,상기 안티모니 층 상에 금속을 증착하여 금속 층을 형성하는 단계는,상기 안티모니 층과 상기 금속 층의 두께 비가 4:5 내지 1:3의 비율이 되도록 금속 층을 형성하고,상기 열처리시 상기 안티모니 층의 안티모니는 상기 게르마늄 기판에 도펀트로 첨가되며, 상기 안티모니가 도핑된 게르마늄 기판 상에 접촉된 니켈저마나이드(NiGe)가 형성되는 저마나이드 형성 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 게르마늄 기판은 실리콘 기판 상에 게르마늄 층이 형성된 것인 저마나이드 형성 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 게르마늄 기판 상에 안티모니를 증착하여 안티모니 층을 형성하는 단계는,상기 안티모니 층을 5nm 내지 12nm의 두께로 형성하는 저마나이드 형성 방법
4 4
삭제
5 5
제1 항에 있어서,상기 금속 층이 형성된 게르마늄 기판을 열처리하는 단계는,상기 금속 층이 형성된 게르마늄 기판을 300℃ 내지 400℃의 온도로 열처리하는 저마나이드 형성 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상지원부 충남대학교 미래소자 원천기술개발사업 20nm급 이하 차세대 반도체 소자를 위한 저항 감소 기술 개발
2 미래창조과학부 충남대학교 일반연구자(지역대학우수과학자)지원사업 차세대 반도체 소자를 위한 게르마늄 쇼트키 장벽 MOSFET 연구