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저항 변화 메모리의 특성 분석방법 및 특성 분석장치(METHOD OF ANALYZING A RESISTIVE SWITCHING MEMORY AND DEVICE FOR ANALYZING RESISTIVE A SWITCHING MEMORY)

  • 기술번호 : KST2016018699
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항 변화 메모리의 구동 메커니즘을 보다 잘 이해할 수 있고, 특성 분석과정에서 저항 변화 메모리의 파괴을 방지할 수 있는 특성 분석방법과, 이 특성 분석방법에 사용되는 분석장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저항 변화 메모리의 특성 분석방법은, 상기 저항 변화 메모리와 상기 분석장치와 사이에 소정의 저항값을 갖는 저항을 직렬로 연결한 후 분석한다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01.01) H01L 27/24 (2006.01.01)
CPC H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01)
출원번호/일자 1020150056758 (2015.04.22)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0125794 (2016.11.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정하빈 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 강병우 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0392837-46
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
저항 변화 메모리를 분석장치로 분석함에 있어서, 상기 저항 변화 메모리와 상기 분석장치와 사이에 소정의 저항값을 갖는 저항을 직렬로 연결한 후, 분석하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 특성 분석방법
2 2
제1항에 있어서,상기 분석장치는 주파수가 변화되는 교류 전압을 인가할 수 있는 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 특성 분석방법
3 3
제2항에 있어서,상기 분석장치는 임피던스 측정 장치인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 특성 분석방법
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제2항에 있어서,상기 저항의 저항범위는, 상기 저항 변화 메모리가 저항값이 낮은 상태(low resistance stage, LRS)에 있을 때, 상기 주파수가 변화되는 교류 전압을 인가할 수 있는 장치로부터 흐르는 전류에 의해, 상기 저항 변화 메모리가 파괴되지 않도록 하는 범위인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 특성 분석방법
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제4항에 있어서,상기 저항범위는 500~2000Ω인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 특성 분석방법
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제2항에 있어서,상기 분석은, (a) 전압을 인가하기 전에 포밍 전단계의 임피던스를 측정하는 단계와,(b) 양 전압을 인가하여 상기 저항 변화 메모리가 저항값이 낮은 상태(low resistance stage, LRS)에서의 임피던스를 측정하는 단계와,(c) 음 전압을 인가하여 상기 저항 변화 메모리가 저항값이 높은 상태(High resistance stage, HRS)에서의 임피던스를 측정하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리의 특성 분석방법
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제6항에 있어서,상기 (a) 내지 (c) 단계의 임피던스 측정은 온도를 변화시켜가면서 행해지는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 특성 분석방법
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저항 변화 메모리의 소정 특성을 분석할 수 있는 분석장치와,상기 분석장치와 연결되며 상기 저항 변화 메모리의 전극에 접촉하는 프로브와,상기 분석장치와 상기 프로브 사이에 직렬로 연결되는 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 분석장치
9 9
제8항에 있어서,상기 분석장치는 주파수가 변화되는 교류 전압을 인가할 수 있는 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 분석장치
10 10
제8항에 있어서,상기 프로브는 Pt 또는 Au를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 분석장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 차세대 메모리용 RRAM 기술