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고강도 저방사화 텅스텐 합금 및 그 제조방법(HIGH STRENGTH TUNGSTEN ALLOY WITH LOW ACTIVATION AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016018724
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 대향부품인 디버터에 적용하기에 적합한 고강도 저방사화 텅스텐 합금에 관한 것으로, 텅스텐을 기초로 하여 저방사화 전이원소 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Y, Zr, Ta 중 선택된 1 종 이상을 5% 이상 포함하여 구성하며, 합금화 원소의 종류와 양을 조절하여 합금시스템의 엔트로피 제어에 의해 저 엔트로피 합금에서 고 엔트로피 합금까지 구성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 텅스텐 합금은 방사화 제어가 가능한 저방사화 전이원소만을 포함하면서도 제 2 석출상이 제어된 고용체 기지 상태를 유지하여 고용강화를 통해 고강도를 구현하여 디버터용 재료로서 적합하다. 또한, 본 발명의 텅스텐 합금은 고용체 기지를 유지하여 DBTT를 낮추면서도 불변반응 (Invariant reaction) 형성으로 인한 급격한 융점 저하 문제를 방지하여 W의 고융점 특성을 유지할 수 있는 효과가 있다. 특히, 본 발명의 고 엔트로피 상태의 고용체 기지 텅스텐 합금은 심한 격자변형과 느린 확산속도 그리고 다성분 구성원소의 칵테일 효과에 의해서 경도와 파괴 인성과 같은 물리적 특성이 향상된 텅스텐 합금을 제공함으로써, 핵융합장치용 디버터의 수명을 크게 늘릴 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C22C 27/04 (2006.01) C22C 30/00 (2006.01) C22C 1/02 (2006.01) C22C 1/04 (2006.01)
CPC C22C 27/04(2013.01) C22C 27/04(2013.01) C22C 27/04(2013.01) C22C 27/04(2013.01)
출원번호/일자 1020150058125 (2015.04.24)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0126702 (2016.11.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박은수 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 김일환 대한민국 서울특별시 노원구
3 오현석 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0403096-79
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0407069-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0077131-29
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0584045-87
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-1004452-96
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1003086-10
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0140109-54
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0400393-89
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0400363-19
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0332956-02
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.06.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0569110-48
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0569088-20
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0422805-50
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
Ti, V, Cr, Mn, Fe, Y, Zr, Ta로 구성된 저방사화 전이원소군에서 선택된 2 개의 합금화 원소; 및잔부의 텅스텐으로 구성되며,상기 저방사화 전이원소군에 선택된 각 합금화 원소의 함량이 5~35at%이고, 상기 텅스텐의 함량이 적어도 10at% 이상을 포함하도록 상기 합금화 원소의 최대량이 조절되어, 중간 엔트로피 상태의 고용체 기지를 구성하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 합금
3 3
Ti, V, Cr, Mn, Fe, Y, Zr, Ta로 구성된 저방사화 전이원소군에서 선택된 3 개의 합금화 원소; 및잔부의 텅스텐으로 구성되며,상기 저방사화 전이원소군에 선택된 각 합금화 원소의 함량이 5~35at%이고, 상기 텅스텐의 함량이 적어도 10at% 이상을 포함하도록 상기 합금화 원소의 최대량이 조절되어, 중간 엔트로피 상태의 고용체 기지를 구성하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 합금
4 4
삭제
5 5
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 저방사화 전이원소군에서 선택된 합금화 원소를 10at% 오차 허용 범위 내에서 동일원자분율(equiatomic ratio)로 구성하여 고 엔트로피 상태의 고용체 기지를 구성하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 합금
6 6
삭제
7 7
플라즈마 대향부에 청구항 2 또는 청구항 3의 텅스텐 합금을 구비하는 것을 특징으로 하는 핵융합장치용 디버터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 미래창조과학부 서울대학교 산학협력단 거대과학연구개발사업 핵융합연구개발사업