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소스 전극과 드레인 전극 사이에 국부적 게이트 전극과 중첩되지 않은 비오버랩 영역을 포함하는 채널 영역이 형성되고, 광전도성을 증폭시키는 상기 비오버랩 영역을 통하여 광이미지를 감지하는 포토 디바이스; 및상기 포토 디바이스 상에 형성되고, 물체의 접촉시 접촉하는 표면에 대응하는 상기 광이미지를 발생하는 접촉 발광 디바이스를 포함하고,상기 비오버랩 영역은 빛이 인가되는 경우 저항이 낮아지고 전도성이 증가하여 상기 채널 영역의 광전도성을 증폭시키는 포토 컨덕터(photo conductor)로 동작하며,상기 접촉 발광 디바이스는 상기 비오버랩 영역을 통하여 광전도성이 증폭된 상기 광이미지를 발생하는 접촉 인식 센서
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제1항에 있어서,상기 접촉 발광 디바이스는전원의 한 단자가 접속되는 투명 전극층;상기 투명 전극층 상에 형성되고, 접지를 형성하는 상기 물체의 접촉시 상기 접촉되는 표면에 대응하는 상기 광이미지를 발생하는 발광층; 및상기 발광층 상에 형성되는 유전층을 포함하는 접촉 인식 센서
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제1항에 있어서,상기 비오버랩 영역은상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 양 측면 방향에 각각 형성되거나, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 한 측면 방향에 형성되는접촉 인식 센서
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제1항에 있어서,상기 채널 영역은전이금속 칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalcogenides)로 형성되는접촉 인식 센서
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제4항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은이황화 몰리브덴(Molybdenum Disulfide, MoS2), 이셀레니드 몰리브덴(Molybdenum Diselenide, MoSe2), 이셀레니드 텅스텐(Tungsten Diselenide, WSe2), 이텔루리드 몰리브덴(Molybdenum Ditelluride, MoTe2), 및 이셀레니드 주석(Tin Diselenide, SnSe2) 중 적어도 하나를 포함하는접촉 인식 센서
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은금속 및 투명 전도성 물질 중 적어도 하나를 포함하고,상기 투명 전도성 물질은비정질 산화물, 결정질 산화물, 그래핀(graphene), 및 고분자 유기물 중 적어도 하나를 포함하는접촉 인식 센서
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제1항에 있어서,상기 포토 디바이스는기판 상에 형성된 국부적 하부 게이트 전극;상기 국부적 하부 게이트 전극을 덮도록 상기 기판 상에 형성되는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층의 양측에 각각 형성된 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극; 및상기 게이트 절연층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 형성되고, 상기 국부적 하부 게이트 전극과 중첩되지 않은 비오버랩 영역을 포함하는 상기 채널 영역을 포함하는 접촉 인식 센서
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제1항에 있어서,상기 포토 디바이스는절연층 상에 형성되고, 상기 비오버랩 영역을 포함하는 채널 영역;상기 채널 영역 상에 게이트 절연층을 개재하여 형성되고, 상기 비오버랩 영역과 중첩되지 않은 국부적 상부 게이트 전극; 및상기 절연층 상에 형성되고, 상기 채널 영역에 의해 연결되는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 포함하는 접촉 인식 센서
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