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기판 상에 형성되고, 채널 사이에 서로 이격되어 형성되는 소스 및 드레인;상기 채널 상에 형성되는 제1 절연층;상기 제1 절연층 상에 형성되는 플로팅 게이트;상기 채널 및 상기 플로팅 게이트가 위치하는 방향으로 형성되는 제2 절연층 및 컨트롤 게이트; 및상기 플로팅 게이트 상에 형성되고, 직접-밴드갭 물질(Direct-bandgap Material)을 포함하는 광전도성 물질층을 포함하고,상기 플로팅 게이트 및 상기 컨트롤 게이트는상기 채널 사이에 두고 서로 다른 측의 위치에서 형성되는 포토 센서
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제1항에 있어서,상기 직접-밴드갭 물질은단층 전이금속 칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalcogenides), 갈륨 비소(Gallium Arsenide, GaAs), 질화 갈륨(Gallium nitride, GaN), 셀렌화 카드뮴(Cadmium Selenide, CdSe), 옥시황 아연(Zinc Oxysulfide, ZnO) 및 씨아이지에스 화합물(Copper Indium Gallium Selenide, CIGS) 중 적어도 하나를 포함하는포토 센서
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제2항에 있어서,상기 단층 전이금속 칼코겐 화합물은이황화 몰리브덴(Molybdenum Disulfide, MoS2), 이셀레니드 몰리브덴(Molybdenum Diselenide, MoSe2), 이셀레니드 텅스텐(Tungsten Diselenide, WSe2), 이텔루리드 몰리브덴(Molybdenum Ditelluride, MoTe2), 및 이셀레니드 주석(Tin Diselenide, SnSe2) 중 적어도 하나를 포함하는포토 센서
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제1항에 있어서,상기 컨트롤 게이트는상기 플로팅 게이트 및 상기 제2 절연층이 위치하는 방향으로 형성되고, 상기 제2 절연층 상에 형성되는포토 센서
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