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실리콘 기판에 형성된 TSV용 비아를 충전하는 방법으로서,전해증착에 의해서 상기 비아 내부에 도전재를 충전하되, 비아 내부에 전자기유체역학 효과(MHD effect)에 의한 도금액의 유동을 유발하여 도전재 이온의 공핍을 방지하는 것을 특징으로 하는 TSV용 비아 충전 방법
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청구항 1에 있어서,상기 비아의 종횡비가 9:1 내지 50:1의 범위인 것을 특징으로 하는 TSV용 비아 충전 방법
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청구항 1에 있어서,상기 비아의 직경이 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 TSV용 비아 충전 방법
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청구항 1에 있어서,상기 전자기유체역학 효과(MHD effect)에 의한 도금액의 유동은 자기장을 인가하여 유발되는 것을 특징으로 하는 TSV용 비아 충전 방법
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청구항 4에 있어서,상기 자기장은 상기 실리콘 기판의 뒤쪽에서 인가되는 것을 특징으로 하는 TSV용 비아 충전 방법
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청구항 4에 있어서,상기 자기장의 방향이 상기 비아의 길이방향과 직교하는 것을 특징으로 하는 TSV용 비아 충전 방법
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청구항 4에 있어서,상기 비아에 인가되는 자기장의 자속밀도가 0
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청구항 1에 있어서,상기 전해증착 공정이 1 ~ 100 mA/cm2 범위의 전류밀도로 수행되는 것을 특징으로 하는 TSV용 비아 충전 방법
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청구항 1에 있어서,상기 전해증착 공정에서 사용되는 도금액에 증착 가속제(accelerator)를 첨가하지 않은 것을 특징으로 하는 TSV용 비아 충전 방법
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청구항 1 내지 청구항 9 중 하나의 방법으로 TSV용 비아를 충전하는 충전공정을 포함하는 3차원 적층 반도체 패키지 제조 방법
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