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그래핀 옥사이드(graphene oxide, GO) 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를 포함하는 혼합 용액을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 혼합 용액을 0 ℃ 내지 90 ℃에서 반응시켜 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 혼합 용액 내 테트라메틸암모늄 하이드록사이드/그래핀 옥사이드 중량비는 0
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 혼합 용액은 물, 에탄올(Ethanol), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF), 디메틸설폭사이드(dimethylsulfoxide, DMSO), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF) 및 아세톤(Acetone)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 혼합 용액은 분산제를 포함하는 기타 첨가제를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 가열은 1 시간 내지 6 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 가열은 100 rpm 내지 1,000 rpm의 회전 속도로 교반하며 수행되는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법
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제1항의 제조방법으로 제조되고, 탄소/산소 원자비가 2
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제8항에 있어서,상기 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 탄소/산소 원자비는 3
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게이트 전극;상기 게이트 전극 상부에 위치하는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상부에 위치하는 반도체 산화물; 및상기 반도체 산화물 상부에 위치하는 제1항의 제조방법으로 제조된 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드; 및상기 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드 상부에 위치하고, 서로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하는 트랜지스터
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